• 状态 Resolved
  • 已锁定 已锁定
  • 回复 1 回复
  • 订户 0 订户
  • 视图 215 视图
  • 用户 0 会员在此处
选项
选项
相关

This thread has been locked.

If you have a related question, please click the "Ask a related question" button in the top right corner. The newly created question will be automatically linked to this question.

[参考译文] TAS5805M：PVDD电容器选择

admin
Guru**** 2460850 points


请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/audio-group/audio/f/audio-forum/763002/tas5805m-pvdd-capacitor-selection

部件号：TAS5805M
主题中讨论的其他部件：TAS5805

您好，，队

我们的客户想知道如何选择PVDD去耦电容器以及如何计算电容器的最小值。

谢谢，致以诚挚的问候。

  • 0
    TI__Guru**** 2460850 points
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。
    你好，Ella，

    对于TAS5805，请参阅数据表的第77页，其中包含以下说明：
    电源输入必须与一些大于22 μF的高质量，低ESL，低ESR电容器分离。 这些电容器将低频噪声旁路至接地平面。 μF高频去耦，请将1 µ 0.1 F或PVDD μF电容器放置在尽可能靠近器件引脚的位置。


    此外，对于功率大的低音扬声器，建议使用大于100uF的去耦帽，以获得更好的音质。

    BWT，用于COMOM D类去耦合盖分析的应用说明，供您参考： www.ti.com/.../slyt199.pdf

    此致，
    Alix Wan。