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[参考译文] TAS2557EVM:RomMode2上的升压模式控制

Guru**** 608295 points
Other Parts Discussed in Thread: TAS2557, TAS2563, TAS2562
请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/audio-group/audio/f/audio-forum/1111909/tas2557evm-boost-mode-control-on-rommode2

器件型号:TAS2557EVM
主题中讨论的其他器件:TAS2557TAS2563TAS2562

尊敬的专家:

我对 Rom mode2上的升压模式有一些疑问。

在数据表中、升压模式由 TAS2557内部算法自动启用。

9.3.11.1升压模式
TAS2557内部处理算法可在需要时自动启用升压。 展望未来
算法监控电池电压和数字音频流。 当扬声器输出接近时
电池电压升压功能可及时启用以提供所需的扬声器输出电压。 输出电压
需要更长的时间、则会禁用和旁路该器件、以最大限度地提高效率。 升压转换器可配置为两个中的一个
模式。 第一种是低浪涌(G 类)、仅支持升压开关、具有最低的浪涌电流。 。
其次是高效率(H 类)、其中升压电压电平调节为恰好高于的值
需要。 此模式更高效、但浪涌电流较高、可快速转换电平。 这是可以的
使用表8进行配置。

1、如何检查升压模式是否已启用?

2.是否在 Rom mode1和 Rom mode2上自动启用升压模式?

3.是否有办法检查升压模式是否由寄存器启用?

4、  寄存器是否能够控制升压模式使能?

谢谢、

SeungKyu Joo

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    您好 、SeungKyu、

    1. 我们如何检查升压模式是否已启用?
      1. 您可以读取 Book 0第0页寄存器0x64
        1. 位5根据升压状态切换、升压状态取决于 Book 0页0寄存器0x02位5
        2. 位4根据直通操作进行切换。 直通意味着 PVDD/VBST 与 VBAT 的电平相同、当输入信号为低电平时会发生这种情况、因此不需要更高的电压。
    2. 是否在 Rom mode1和 Rom mode2上自动启用升压模式?
      1. 您可能会在 Book 0第0页寄存器0x05上看到、默认情况下会禁用升压功能(与许多其他功能一样)。 这必须作为初始化脚本的一部分启用。 此外、默认情况下、升压转换器(如果启用)在 H 类模式下运行。
    3. 是否有办法检查寄存器是否启用升压模式?
      1. 如果您参考升压是否正在运行、无论升压使能控制如何、您都可以检查 Book 0第0页寄存器0x64位4
    4.  是否有办法通过寄存器控制升压模式使能?
      1. 如果您参考强制升压始终开启或始终关闭、则该选项在此器件上不可用

    后续问题:

    • 请问您如何为您的应用选择 TAS2557? 您在寻找什么功能、电源范围、电压轨?
    • 也许您可以考虑一些较新的器件、如 TAS2562和 TAS2563

    此致、
    -Ivan Salazar
    应用工程师

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    您好 Ivan  Salazar、

    感谢您的支持。

    我们只需要测量升压电压(VBST) 在 H 类模式下的变化情况。

    在测量它之前、我只想检查一些有关升压模式控制的信息。

    如果我们需要更多、我将提出新问题。

    谢谢、

    SeungKyu Joo

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    您好 Ivan Salazar、

    抱歉、还有一个问题。

    我设置 G 类模式、当我检查时、在 Rom 模式2上 VBST 的变化约为8V。

    但是当我选中"Book 0 Page 0寄存器0x02"时、值为0x00。

    这是否意味着升压被禁用?

    但我想知道为什么更改 VBST。

    谢谢、

    SeungKyu Joo

    ===================================================================================================

    # w 98 00 00
    # w 98 7f 00
    编号 r 98 09 01


    -I2C 控制
    w 98 00 00
    宽98 7f 00
    R 98 64 01

    w 98 00 00
    宽98 7f 00
    R 98 02 01

    -输出
    #写入命令位于第21行
    成功写入
    #写入命令位于第22行
    成功写入
    # read command at line 23:r 98 64 01
    FC
    #写入命令位于第30行
    成功写入
    #写入命令位于第31行
    成功写入
    # read command at line 32:r 98 02 01
    00
    ===================================================================================================

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    您好 、SeungKyu、

    很抱歉、我在上一篇帖子中犯了一个错误。 不使用 Book 0第0页的寄存器0x02、实际上它没有列在数据表寄存器映射中。
    它是 Book 0 Page 0寄存器0x05。 我对我的上一篇帖子进行了一些更改、以显示正确的信息:

    此致、
    -Ivan Salazar
    应用工程师

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    您好、Ivan、

    很抱歉、但我有更多问题。

    正如我评论的那样、我在 Rom mode2上测量了 VBST。

    我使用"1kHz Fade in (-Infinite to 0 db)" Content 来检查 H 类上的升压电压电平变化、如下所示。

    但是、即使升压模式在两种情况下都设置为 H 类或 G 类、VBST 也会直接从大约5V 更改为大约8.5V。

    下面是用于设置 H 类的寄存器控制

    # BOOST_CTRL_1
    #[0] BST_Mode
    #使用多级(0)的 H 类操作
    # G 类运行、根据需要打开和关闭一个电平(1)
    w 98 00 00
    宽98 7f 00
    宽98 09 24
    R 98 09 01

    还有事吗?

    谢谢、

    SeungKyu Joo

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    您好、SeungKyu、

    今天是 TI 假日、我们的专家已不在办公室。 请给我们另外一天时间来看看并回答您的问题。 为了保存记录、请勿回复此消息、除非48小时后没有回复。

    感谢您的耐心等待、

    Jeff

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    您好、SeungKyu

    在 POR 之后、G 类默认被启用。 PPC3未修改该寄存器值。
    BOOST 由寄存器0x09从寄存器0第0页控制、其默认值为0x25。
    为了启用 H 类、您需要向该寄存器写入0x00、您应该能够在升压上升时注意到一个更长的斜坡、尽管余量很可能会一直为升压上升到最大值。 请注意、TAS2557上的升压控制器是 TAS2563的早期版本、具有更好的包络跟踪功能。

    此致、
    -Ivan Salazar
    应用工程师

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    您好、Ivan、

    感谢您的更新。

    顺便说一下、即使我  使用 PPC3上的直接 I2C 从第0页的寄存器0x09更改了0x00值、VBST 也会从大约5V 直接上升到大约8.5V。

    w 98 00 00
    宽98 7f 00
    W 98 09 00 #H 类
    R 98 09 01

     

    1分钟内测试内容为"1kHz 淡入(无限至0dB)"。

    我不知道它是否正常运行。

    谢谢

    SeungKyu Joo

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    您好 、SeungKyu、

    根据之前的观察结果、这可能是预期结果、您可能需要更改为使用 TAS2563等更新的器件、以实现更具定义的 H 类控制。

    此致、
    -Ivan Salazar
    应用工程师