[参考译文] TAS2557EVM：RomMode2上的升压模式控制

您好 Ivan  Salazar、

感谢您的支持。

我们只需要测量升压电压(VBST) 在 H 类模式下的变化情况。

在测量它之前、我只想检查一些有关升压模式控制的信息。

如果我们需要更多、我将提出新问题。

谢谢、

SeungKyu Joo

您好 Ivan Salazar、

抱歉、还有一个问题。

我设置 G 类模式、当我检查时、在 Rom 模式2上 VBST 的变化约为8V。

但是当我选中"Book 0 Page 0寄存器0x02"时、值为0x00。

这是否意味着升压被禁用？

但我想知道为什么更改 VBST。

谢谢、

SeungKyu Joo

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# w 98 00 00
# w 98 7f 00
编号 r 98 09 01

－I2C 控制
w 98 00 00
宽98 7f 00
R 98 64 01

w 98 00 00
宽98 7f 00
R 98 02 01

-输出
#写入命令位于第21行
成功写入
#写入命令位于第22行
成功写入
# read command at line 23：r 98 64 01
FC
#写入命令位于第30行
成功写入
#写入命令位于第31行
成功写入
# read command at line 32：r 98 02 01
00
===================================================================================================

您好、Ivan、

很抱歉、但我有更多问题。

正如我评论的那样、我在 Rom mode2上测量了 VBST。

我使用"1kHz Fade in (-Infinite to 0 db)" Content 来检查 H 类上的升压电压电平变化、如下所示。

但是、即使升压模式在两种情况下都设置为 H 类或 G 类、VBST 也会直接从大约5V 更改为大约8.5V。

下面是用于设置 H 类的寄存器控制

# BOOST_CTRL_1
#[0] BST_Mode
#使用多级(0)的 H 类操作
# G 类运行、根据需要打开和关闭一个电平(1)
w 98 00 00
宽98 7f 00
宽98 09 24
R 98 09 01

还有事吗？

谢谢、

SeungKyu Joo

您好、SeungKyu、

今天是 TI 假日、我们的专家已不在办公室。 请给我们另外一天时间来看看并回答您的问题。 为了保存记录、请勿回复此消息、除非48小时后没有回复。

感谢您的耐心等待、

Jeff

您好、SeungKyu、

在 POR 之后、G 类默认被启用。 PPC3未修改该寄存器值。
BOOST 由寄存器0x09从寄存器0第0页控制、其默认值为0x25。
为了启用 H 类、您需要向该寄存器写入0x00、您应该能够在升压上升时注意到一个更长的斜坡、尽管余量很可能会一直为升压上升到最大值。 请注意、TAS2557上的升压控制器是 TAS2563的早期版本、具有更好的包络跟踪功能。

此致、
－Ivan Salazar
应用工程师

您好、Ivan、

感谢您的更新。

顺便说一下、即使我  使用 PPC3上的直接 I2C 从第0页的寄存器0x09更改了0x00值、VBST 也会从大约5V 直接上升到大约8.5V。

w 98 00 00
宽98 7f 00
W 98 09 00 #H 类
R 98 09 01

1分钟内测试内容为"1kHz 淡入(无限至0dB)"。

我不知道它是否正常运行。

谢谢

SeungKyu Joo