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主题中讨论的其他器件：JFE150、 TINA-TI我们最近推出了 JFE150、这是一款面向低噪声应用的分立式 N 沟道 JFET。
JFE150的一些关键规格：
- 5mA IDS 下的宽带噪声为0.8nV/rtHz
- 对于较低的漏源电压、栅极电流为10pA (最大值)。 栅极电流在大约5V VDS 以上时消耗。 这会产生1.8fA/rtHz 输入电流噪声
- 40V 栅源击穿电压
- 24pF 输入电容(Vds = 5V)
- 典型 IDSS 为35mA、保证限值为24mA 至46mA
- 集成钳位二极管。 如果不使用这些参数、则可以将其悬空。
- 低批量价格约为2美元、现可在 TI store 购买。
为什么该器件不采用标准 JFET 封装？
答：我们添加了钳位二极管、必须适应这些二极管。
钳位二极管会产生什么泄漏电流？
A：我们在输入电流规格中测试栅极电流泄漏。 钳位电压设置为5V 和-5V。总的来说、钳位二极管对泄漏的贡献极小(二极管尺寸以及泄漏比 JFET 小得多)。
与许多其他音频 JFET 一样、似乎没有根据 IDS 对器件进行分级。
答：正确、没有分级、所有 JFE150都将使用规格。 列出的所有参数。
是否有可用的模型？
答：是的、PSPICE 模型： JFE150 PSpice 模型
TINA-TI 模型： JFE150 TINA-TI Spice 模型
您将在此产品中提供哪些封装类型？
A：SC70和 SOT23
此产品是否提供双通道产品？
答：是的、它将很快采用 SOIC 和 VSSOP 封装选项的双通道版本
如何对此产品进行原型设计？
答：此器件可使用 我们的 DIP 适配器 EVM 进行测试。