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[参考译文] TAS3251：TAS3251

admin
Guru**** 1761415 points
Other Parts Discussed in Thread: TAS3251
请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/audio-group/audio/f/audio-forum/959738/tas3251-tas3251

器件型号：TAS3251
您好、先生、

我有一个 TAS3251项目
我的设计工作正常、但有一些问题、
1：当 TAS3251工作时，我在输出上看到一些小噪声，它看起来像是直流噪声。
 
  我的设计使用 MediaTech 的 MT9050来控制 I2C 和 I2S。
 
  它是  适用于 TAS3251的 SCH 和 PCB 设计。
 
  您是否介意帮助检查它们？
 
2：当 mt9050不通过 I2S 和 RESET_AMP 引脚拉高控制 tas3251时、我的散热器 会变得非常热。
  这是正常的吗？
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    TI__Guru**** 1761415 points
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    您好！

    对于高功率应用、强烈建议不要将铁氧体磁珠用于 EMC 问题。 您是否有未使用电感器的背景？

    芯片变热、因为您使用的是与铁氧体磁珠组合的0.68uF 电容器。 0.68uF 适用于电感器、但不适用于 FB。 它将显著增加器件的开关损耗。 如果移除0.68uF 电容器、器件不应消耗大量功率。

    此致、

    Sam

  • 0
    TI__Guru**** 1761415 points
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    尊敬的 Sam：

    非常感谢您的回答。
    抱歉我的标签 错误。
    我在新设计中尝试了10uH、但问题没有 得到改善。
    它是我的设计 中的电感器：CEP125NP-100MC。
    我使用 TI 网站上的工具计算电感值。
    这是我的 gerber。
    此致、
    kds.
  • 0
    TI__Guru**** 1761415 points
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    您好！

    对于原理图、

    • PVDD 去耦需要1uF。 有关 EVM 布局、请参阅随附的文件。
    • 当您将 MCLK 保持悬空时、我假设您使用的是3线从时钟模式。 请确保您具有相应的正确寄存器设置。

    您能否在散热器发热时测量 PVDD 轨的功耗？ 另请检查输出引脚以查看其开关和输出功率。

    谢谢！

    此致、

    Sam

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    TI__Guru**** 1761415 points
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    尊敬的 Sam：

    当我在设计中降低 C8和 C15时、噪音问题已经解决、但温度仍未改善。


    当我尝试使用正弦波(Youtube)来评估设计质量时、PVDD 完全正常。

    我的设计似乎出了问题。

    即使系统在两个通道的功率均为50W、散热器也非常热。


    这是我的设计中采用热铝外壳设计的散热器、它将直接从散热器引导到铝外壳。

    此致、

    kds.

  • 0
    TI__Guru**** 1761415 points
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    TI__Guru**** 1761415 points
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    您好！

    请问您使用的是什么负载？ 扬声器电阻？

    您是否可以测量输入电流和输出电压？ 因此、我们可以计算效率并与数据表上的数字进行比较。

    BTW、必须在 PVDD 引脚上添加 MLCC 去耦电容、并且应将其尽可能靠近引脚放置。 或者、由于开关边沿上的高 di/dt 而导致的电感高电压尖峰可能会使器件停止。

    谢谢！

    此致、

    Sam