您好！
我的客户对数据表中显示的电容器有一些问题。 请您发表您的意见吗？
布局指南行中有这样的说明、但您能告诉我10uF 钽电容器的用途吗？ E2E 博文指出、它可以在更小的封装中提供更大的电容、因此、如果它们能够确保实际电容值为10uF、即使存在直流偏置影响、也可以改用陶瓷电容吗？
10.1.1 VCC 和 VDD 引脚
PCM1802的数字和模拟电源线必须旁路至相应的接地引脚
μF 0.1 μ F μF 电容器和10 μ F 钽电容器尽可能靠近引脚以最大限度地提高动态
性能。
2.数据表中的交流耦合电容器显示8Hz 截止频率、但它真的是8Hz 吗？ 请告诉我为什么它是8Hz？ 还是拼写错误、实际上是8kHz？ 如果它们添加的电容器等于或高于1uF 以降低截止频率、会发生什么情况？
此处较高的满量程输入是否意味着大于0.6*Vcc (Vpp)？
10.1.3 VIN 引脚
μF 建议使用1 μ F 电容器进行交流耦合、从而提供8Hz 的截止频率。 更高的满量程输入
如果需要、只需在每个 VIN 引脚上添加一个串联电阻即可调节电压。
3、 请问为何推荐10uF 的电解电容呢？ 如果它们确保10uF 的直流偏置影响、它们是否可以改用10uF 陶瓷电容器？
10.1.4 VREF1引脚
μF μF 在 VREF1和 AGND 之间使用0.1 μ F 的陶瓷电容器和10 μ F 的电解电容器
以确保 ADC 基准的低源阻抗。 这些电容器必须尽可能靠近放置
VREF1引脚、以减少 ADC 基准上的动态误差。
VREF2 引脚也是如此。 请告诉我、为什么它在这里推荐10uF 的电解电容器？ 如果它们确保10uF 的直流偏置影响、它们是否可以改用10uF 陶瓷电容器？
10.1.5 VREF2引脚
VREF2和 AGND 之间的差分电压设定模拟输入满量程范围。 TI 建议使用
插入时、VREF2和 AGND μF 0.1 μ F 的 μF 电容器和10 μ F 的电解电容器
在使用有噪声的模拟电源时、VCC 和 VREF2之间的1 kΩ 电阻器。 这些电容器和
干净的模拟电源不需要电阻器。 这些电容器必须尽可能靠近放置
VREF2引脚来减少 ADC 基准上的动态误差。 满量程 kΩ 电平受这个1 μ A 的影响
减小3%。
此致、
川崎市
