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[参考译文] INA1651EVM:问题

Guru**** 2382630 points
Other Parts Discussed in Thread: INA1651
请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/audio-group/audio/f/audio-forum/831706/ina1651evm-question

器件型号:INA1651EVM
主题中讨论的其他器件:INA1651

是 INA1651 EVM 指南中根据实际 EVM 设计列出的音频性能。 在大多数情况 下、通常避免在音频路径中使用此 EVM 所做的陶瓷电容器、因为这些电容器不被视为非常适合音频。   甚至 TI 也避免了这种情况 、并建议不要 在 TPA32XX 的输入端使用它们、因为这可能会导致性能问题。  很好奇、因为 EVM 指南中的音频性能数字看起来很不错。       

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    您好、Jerry、

    最好避免在滤波应用中使用高 k 陶瓷电容器(例如 Y5V 或 X7R 电介质)、因为它们的电压系数会导致信号失真。 建议将 C0G 或 NP0电介质陶瓷电容用于这些应用。

    在这种情况下、在诸如 INA1651 EVM 输入的交流耦合应用中、这种情况变得不太明显。 在这些情况下、需要使用大电容来最大限度地降低交流耦合的高通转角频率。 这反过来又需要使用一个高 k 陶瓷电容器、因为 C0G/NP0电容器通常在所需的电容范围内不可用。 但是、在交流耦合应用中(尤其是在 INA1651等高阻抗输入中)、信号不会对电容器上的偏置产生太大的影响。 由于高 k 陶瓷的失真机制主要是电容的电压系数、因此电压变化非常小的事实对我们有利。

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    感谢您的详细回答。