This thread has been locked.

If you have a related question, please click the "Ask a related question" button in the top right corner. The newly created question will be automatically linked to this question.

[参考译文] TPA3251:关于 TPA3251的直流保护

Guru**** 2482225 points
Other Parts Discussed in Thread: TPA3251

请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/audio-group/audio/f/audio-forum/867408/tpa3251-about-dc-protection-of-tpa3251

器件型号:TPA3251

 我在撰写有关 TPA3251的直流保护的文章。 我们将调整 TPA3251。 通常,音频放大器必须安装直流保护。 到目前为止,我们将使用晶体管安装直流保护。

如果 TPA3251具有直流保护、我们将移除此电路。  我们的应用是 BTL。  数据表显示 TPA3251具有此功能。 但我们无法理解该函数。

您是否会就此提出建议?  检测到直流电后、放大器将停止多长时间?  是否存在故障风险? 如果您无法保护直流电、这将非常危险。

  • 请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    您好!

    TPA3251上的直流保护用于在扬声器线之一短接至 GND 或 PVDD 时保护器件。 它检测 BTL H 桥两个桥臂之间的任何不平衡电流。  

    我想您将直流保护作为输入。如果输入是直流 信号或频率极低的信号、则器件应能够自我保护。 在 TPA3251上、我们没有这个。 输入侧的交流耦合电容器可以发挥这一作用。

    此致、

    Hao

  • 请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    感谢您的回复!  我对你所做的一切都很不相信。 但是, 我想...

    如果器件本身发生故障、此功能是否毫无意义?

    是否假设内部 FET 发生故障? (热侧的 Hside FET 短路、 冷 侧 的 Lside FET 短路。)

    我担心器件会因某种原因而损坏、并向扬声器添加直流电。

    在 上述情况下、该器件无法提供保护、对吧?

  • 请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    您好!

    器件将在发生任何损坏之前关闭故障通道。 您可以参阅数据表中的第9.4.2章。

    此致、

    Hao

  • 请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    您好,Hao。

    感谢您的建议。

    例如、如果下图中的 Q1和 Q2短路、请关闭 Q3和 Q4。

    但是、如果 Q1和 Q4短接、即使器件已关断、也可以对扬声器施加直流电。

    这种失败是否在现实中是不可能的?  我想假设每种情况。 DC 非常危险。

  • 请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    您好!

    帖子上未显示图片。

    我想您正在讨论 H 桥的一个桥臂中的高侧 FET 和另一个桥臂上的低侧 FET。 当输入端有直流信号时、通常会发生这种情况。 TPA3251不具有此保护。 用户需要确保不在输入引脚上施加直流信号。

    此致、

    Hao

  • 请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    您好、Hao。

    感谢你的答复。

    输入信号将以几赫兹的频率截止。

    我担心 FET 不会在极端过载条件下被破坏、例如基准测试。
    (例如、当输出连续全功率时)

    到目前为止、我们已经多次设计 D 类放大器、但我们使用了分立式 FET。

    因此、我们自己准备了温度保护、短路保护、直流保护等。

    我希望、正如所指出的、从输入端切断直流电将解决所有问题。
    但是、我担心 FET 在出现异常时不会被破坏。

    (根据您理解的术语;H 桥的一个桥臂中的高侧 FET 和另一个桥臂上的低侧 FET。)

    我所关心的条件是否不切实际?

  • 请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    您好!

    您的疑虑是合理的。 集成式 D 类放大器具有很多保护功能。 过载保护应在您描述的情况下保护器件。  

    有关更多详细信息、请参阅数据表的第9.4章。

    此致、

    Hao