[参考译文] LM4911Q-Q1：杂音改善

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Guru**** 2445440 points

请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

器件型号：LM4911Q-Q1

您好，请告诉我爆音噪声的改善。
当 SD 从"L"切换为"H"时、在大约2.5秒后从 SD"H"切换为"H"时会出现噼啪噪声。
这与 Cbypass 充电完成时的时序相同。

CH1：CBYPASS (C5)、 CH2：输出(至耳机 L) CH3：SD CH4：静音

如何改善这种杂音？

我们的电路如下所示。

此致、

0 admin 5 年多前

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您好！

旁路电容器与 PoP 问题密切相关。如果电容器值较低、上升时间将会更快、但会导致爆音问题。您可以尝试将电容器值增大到10uF、并查看 PoP 问题的结果。

如果您在此问题上看到差异、请告诉我。

此致、
Luis Fernando Rodríguez S.

0 admin 5 年多前

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你好

我测试了10uF。

噪声略小于4.7 μ F。但仍然可以听到声音。

而且，SD 从“L”变为“H”时的噪声也会变差。

并且启动时间太长(8秒或更长)。我们不能接受这一价值。

总之，即使我们认为当前启动(2sec)时间也过长。
您还有其他改进建议吗？

0 admin 5 年多前

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您好！

如数据表中所述、2秒的唤醒时间取决于输出电容器。输出电容器上的较低值将缩短唤醒时间。但是、最小值(无耦合电容器)将为0.5秒。

我建议减小输出电容器(大约1uF 或更低)、以查看唤醒时间的反应以及弹出问题。

此致、
Luis Fernando Rodríguez S.

0 admin 5 年多前

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感谢你的建议。

遗憾的是、我们无法减少输出电容器。
因为它将使频率响应在低频上下降。
电流输出电容器为47uF。在32欧姆负载下、100Hz 时已经下降-4dB。
因此、我们无法接受将电容从47uF 或更低降低。

因此、我测试了输入电容器从1uF 变为0.1uF。
我确认它将减少噼啪噪声。
它也会影响频率响应、但它是可以接受的。

因此、我将解决此问题。

音频（参考译文帖）(Read Only)