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[参考译文] TPA3126D2:在低功耗水平(200mW)下、语音频带(6kHz)中具有高 THD+N

Guru**** 2475180 points
Other Parts Discussed in Thread: TPA3126D2EVM

请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/audio-group/audio/f/audio-forum/808320/tpa3126d2-high-thd-n-in-voice-band-6khz-at-low-power-levels-200mw

器件型号:TPA3126D2

大家好、在我的设计中、我将在较低的功率水平下以6kHz 的频率测量 THD+N 峰值。 我已经尝试了许多事情来解决、或者至少帮助确定发生这种情况的原因、但没有成功。

在大约200mW 的功耗下、THD+N 上升到0.8%THD+N、在更高的功率水平下、下降到0.3<04%、直到我们达到电源轨限值-请参阅下面的功率与 THD+N 扫描。

噪声是谐波、我可以看到与基波相比、第三谐波相当高-请参阅随附的6kHz 谐波扫描。

我没有 TPA3126EVM 用于直接测量比较。 我有 TPA3116EVM、该测量值根据数据表图进行。

我已经将我的设计中的所有组件与 TPA3126EVM 应用手册中的 BOM 进行了比较、它们大多是比较的。 如果它们不完全匹配(例如电容电介质)、我已将它们更改为与 TPA3126EVM BOM 匹配、但这没有任何改进。 注意:我们使用 的是 Wurth 7447709100输出电感器。 我的设计的原理图、供您参考。

已检查布局并与参考设计/指南进行比较。 我认为这看起来很明智、但附上了光绘文件供您参考。

如果有人能提供帮助,将不胜感激。

谢谢

Rob

e2e.ti.com/.../02SY_5F00_SCH_5F00_03_5F00_Aamp_5F00_Page_5F00_050619.pdf

e2e.ti.com/.../02SY_5F00_Gerbers.rar

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    您好、Robert、

    让我看一下您的原理图和布局、然后返回给您。

    Andy

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    您好、Robert、

    您是否已经解决了问题?   我已经查看了您的原理图。

    下面是我要指出的一点。  

    我看到下面的 C2、C4、C14和 C17电容器连接到 DGND、而不是 PGND_1。  我们通常建议客户仅使用一个大的共同点。  

    Andy

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    尊敬的 Andy:

    在我们的测试中、我们尝试使 PGND 和 DGND 通用。 它们通常通过铁氧体隔离以实现 EMI 抑制、因此我们形成了一个0r 链路。 这无法解决问题。

    我们还尝试删除了 C2、C4、C14、C17、C68、C63、C168和 C163。 我们还使用这些电容器进行 EMI 抑制。 这也无助于问题的解决。  

    我们仍在努力找到根本原因,我们希望得到进一步的援助。

    谢谢、此致

    Rob  

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    尊敬的 Rob:

    此处是 TPA3126D2EVM 的布局文件。 我希望这对您有所帮助。 您需要下载 Altium Designer Viewer 才能查看。

    e2e.ti.com/.../AMPS044A_5F00_PCB.PcbDoc

    Andy