[参考译文] TAS5414C-Q1：TAS5414B-Q1和 TAS5414C-Q1之间的差异

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请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/audio-group/audio/f/audio-forum/843108/tas5414c-q1-the-difference-between-tas5414b-q1-and-tas5414c-q1

器件型号：TAS5414C-Q1
主题中讨论的其他器件：TAS5414、

大家好、

我们过去制作了一个采用 B 版本 DKD 封装的电路板。

这次、我将尝试使用 TAS5414再次制作电路板、但 C 版本已发布。

C 版本没有 DKD 封装。

B 和 C 之间的区别是什么？

查看数据表、除了 ESD HBM 为2500V 外、没有其他区别。

DKD 封装消失的原因是什么？

此致、

Tomoaki Yoshida

6 年多前

0 admin 6 年多前

TI__Guru**** 2482105 points

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Yoshida-San、

我们在"C"版本中添加了一些针对 PBTL 的额外寄存器设置。请参见寄存器 Ox0C 和0x0D。只有 TAS5414C-Q1的 PHD 版本才是商业决策。

0 admin 6 年多前

TI__Guru**** 2482105 points

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您好、Gregg-San、

感谢您的支持。

我知道 B 版本和 C 版本之间有三种差异：

1.静电放电(HBM)的能力

2.封装选项(删除 DKD 封装)

3.寄存器 Ox0C 和0x0D (添加寄存器设置)

如果我们不需要额外的寄存器设置、并且 HBM 符合规格、我们可以继续使用 B 版本 DKD 封装中的产品和电路。

正确吗？

我们打算转移过去设计的资产。

此致、

Tomoaki Yoshida

0 admin 6 年多前

TI__Guru**** 2482105 points

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Yoshida-San、

你是对的。

0 admin 6 年多前

TI__Guru**** 2482105 points

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您好、Gregg-San、

感谢您的支持。

我理解 B 版本和 C 版本之间的变化点。

变更的原因是什么？

我们将继续使用 B 版本、但我们关注风险和变更原因。

此致、

Tomoaki Yoshida

0 admin 6 年多前

TI__Guru**** 2482105 points

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您好、Gregg-San、

为什么使用 Cver 将 HBM 从3000V 降至2500V？

ESD 保护电路是否发生了变化？

已在 C 版本中添加了寄存器设置、但我认为 B 版本数据表中也描述了该函数。

以下是对 B 版本的直流检测的说明。

这是否意味着可以在 B 版本中设置相同的寄存器？

此致、

Tomoaki Yoshida

0 admin 6 年多前

TI__Guru**** 2482105 points

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Yoshida-San、

因此、测试的 HBM 较低、会反映在数据表中。 ESD 电路无变化。

您显示的段落反映了寄存器0x0B 中的 D4位。寄存器0x0C 中的位 D5在"C"版本中是新的、与您显示的段落不同。该新位允许直流检测向 FAULT 引脚和寄存器报告故障、但不会禁用受影响的通道。

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