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[参考译文] TAS5805M:PVDD 电容问题

Guru**** 2448780 points


请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/audio-group/audio/f/audio-forum/725993/tas5805m-the-pvdd-cap-question

器件型号:TAS5805M
主题中讨论的其他器件:TAS5805

尊敬的支持

TAS5805上的 PVDD 为15VIN、输出电压为4 Ω、每个电阻为10W、大约为20W

但 PVDD 电容为390uF、PCB 上太大

您能告诉我、我的应用上 PVDD 电容的最小值是多少?

  • 请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    您好 Steven、

    关于 PVDD 的去耦电容、请参阅数据表中的10.1.2电源去耦:

    为了确保高效率、低 THD 和高 PSRR、需要适当的电源去耦。 噪声

    电源线路上的瞬变是持续时间短的电压尖峰。 这些尖峰可能包含频率

    扩展到数百兆赫兹。 电源输入必须与某些去耦

    μF 22 μ F 的优质、低 ESL、低 ESR 电容器。 这些电容器将低频噪声旁路至

    接地平面。 μF 高频去耦、请将1 μ F 或0.1 μ F 电容器尽可能 μF 靠近

    器件的 PVDD 引脚。

    此致、

    Alix Wan。