[参考译文] TPA6120A2：较低 Z 负载下的高失真

Dan、您好！

在详细了解这些结果的原因之前、您能否确认在测量中使用的是 TPA6120A2 EVM、该器 件会在两个不同的 EVM 中突出显示。

此致、

Ignacio  

您好 Ignacio。。。  TPA6120A2RGYEVM  

Dan、您好！

感谢您确认正在使用 EVM。 是否对 EVM 进行了任何更改？ EVM 配置为运行测试的方式也会显著影响器件的性能。 同时、我将把我掌握的信息带回团队、并在下周初与团队联系、以了解任何更新信息、或者如果我有其他问题。

EVM 原理图在第7页的 EVM 用户指南中提供、可在 TPA6120A2产品页面的技术文档部分找到、以供参考。

此致、

Ignacio

除了添加几个大旁路电容器、我们没有对电路板进行任何更改、以查看这是否会将 THD 降低到低 Z 负载中、但不会产生任何影响。  

我再次查看了两种评估板模型、如果规格正确、这个评估板的测试效果可能明显优于我们的测试效果。  

TPA6120A2EVM

对性能有何看法、因为我们购买的电路板除了电源之外没有规格？

Dan、您好！

器件的性能位于 数据表中、而 EVM 的用户指南有助于配置电路板设置。 但是、您可以预期电路板性能会与器件数据表一致。 我们最近使用 APX555在300欧姆下测试了 TPA6120A2EVM、我可以将其连接在下面。  请告知我们 TPA6120A2EVM 的较低负载配置(32欧姆)是否与器件数据表中的图6相匹配。  

您能否确认设置如器件数据表中的图12所示。 模拟低通滤波器是可选的、我们使用了集成在 APX555中的数字低通滤波器、将带宽设置为90kHz。  

e2e.ti.com/.../TPA6120A2_5F00_THDMeasurements.zip

此致、

Ignacio

您好 Ignacio、

当我在外部300欧姆100pF 负载下运行相同的测试时(我需要构建一根线束以直接连接到 AP 的300欧姆、因此我使用黑铬假耳机负载)、我得到的结果比您所显示的结果差6-10dB。 明天我将完成电缆测试、直接测试 AP、而不使用任何电容。  

也就是说、当我在负载中低于50欧姆时、THD 会增加10倍。 您的团队能否以20或32欧姆的电阻运行测试、因为这正是性能真正下降的悬崖。

我制作了另一个模块来增加对负载的功率传输、并切换到3.3欧姆输出电阻器、但它仅对 THD 效率没有影响。

Dan

Dan、您好！

我将协调一段时间来测试这些特定值。 我将在我们获得这些测量值后立即向您更新。 感谢您的耐心等待。

此致、

Ignacio

您好 Ignacio、只是快速办理入住...

Dan、您好！

我们一直在等待 APX555释放、因为它正在用于其他器件。 下周某个时候、有人告诉我设备应该可用。 给您带来的不便、我深表歉意。

此致、

Ignacio

Dan、您好！

 很抱歉耽误了这些测量的时间。 我们已经确认、我们可以在周二为 TPA6120A2使用 APx555。  

谢谢、

Sima  

谢谢！ 很显然、我自己有一个、如果有任何测试配置或设置注意事项、我应该知道/可以进行测试、现在我很乐意这样做。

Dan、您好！  

  我们使用的设置如 TPA6120A2数据表的图12所示。 对于上述测量、在没有输入电容器和模拟输出 LPF 的情况下进行。 对于重负载变化、您是否修改了电路板上的 R14、R6、R16或 R13、R5、R15？

谢谢、

Sima  

未对电路板进行任何修改... 我认为我们可以绕过输出 LPF、因为我们的目标负载是纯阻性的。  

Dan、您好！

看到 APx555的最低负载设置为300欧姆、并且您没有修改电路板上的电阻值、您能否描述一下您如何在测试中实现低于300欧的较低负载设置。 这有助于了解如何在这些较低负载下测量值。

此致、  

Ignacio

我们使用负重12至600欧姆的 Neurochrome 耳机测试负载箱。  https://neurochrome.com/products/headphone-dummy-load

Dan、您好！

 它似乎是一个用于扫描各种负载的精确且有用的设备。 它看起来也会向器件添加容性负载。 如果可能、您能否在内部将直接连接到 APx555并将负载设置为300欧姆时测试未修改的 TPA EVM？

谢谢、

Sima

我可以、但我看不到这个点、300欧姆不是问题。  请在 OP 中查看我的初始图。 300欧姆和600欧姆测量良好、  THD 上升时低于300欧姆、因此我可以告诉您测量正常。

该项目的目标负载为20-60欧姆、这是参考板上不能接受 THD 的地方。 我始终可以构建一个纯抗阻性负载来测量较低的 R 值。 神经铬上的最小 C 为100pF、这是我运行的测量值的设置位置。

低值是否会影响电路板？

Dan、您好！

 很抱歉、我现在注意到了标题中 的负载电容为100pF、这是您在上面分享的初始测量结果。 此图显示了器件在300欧姆负载、100pF 电容下的 THD 与最低输出测量电平相差-68dB、而在用于器件在300欧姆输出下扫描的压缩文件夹中、与最低输出测量电平相差约-85dB、这与 TPA6120A2数据表中的图4相匹配。 初始测量中的其他较低负载遵循与数据表相同的趋势、数据表是图5和6中预期的 U 形。

 为了完全与数据表中的数字进行比较、此器件的特性是具有最小容性负载、并侧重于较低的阻性负载。 但是、如果存在隔离电阻器、则正确、对于该器件、100pF 时的电阻至少为5欧姆、以避免放大器不稳定。 在这些低频下、不应该出现问题、但这是可能的。 我必须研究添加一个100pF 的负载电容、以便在我们的端进行测试  

 我建议尝试直接连接以排除所有可能性、并确认附加电容可能是问题所在。 不过、我仍将研究负载电容。   

谢谢、

Sima  

对此进行了任何更新？ 我们尝试了一个替代芯片、但功耗太高、因此使6120工作至关重要。 我明天将尝试0C 负载测试...

我确认了性能与 R 无关。0 C 没有影响、但随着 R 减小、THD 会急剧增加。 将 C 从100pF 增加到10nF 也没有效果、因此我们可以排除这种情况。  

Dan、您好！  

对于给您带来的不便、我们深表歉意、但由于旅行/假期、我们的回复会有一些延迟。 我们将在收到您请求的数据更新后立即与您联系。 感谢您的耐心等待。  

请注意、

Ignacio

已理解... 希望还能回来吗？ 我们本周正处于决策点。

Dan、您好！

我通过朋友请求发送了一封简短的私人邮件。  请允许我花些时间阅读您的帖子并获得适当的背景信息。

最棒的

阿尔茨

是否有更新？