This thread has been locked.

If you have a related question, please click the "Ask a related question" button in the top right corner. The newly created question will be automatically linked to this question.

[参考译文] TAS6424M-Q1:PBTL 模式

Guru**** 1111390 points
Other Parts Discussed in Thread: TAS6424M-Q1
请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/audio-group/audio/f/audio-forum/1227982/tas6424m-q1-pbtl-mode

器件型号:TAS6424M-Q1
主题中讨论的其他器件: TAS6424TAS6424E

我们正在考虑在 PBTL 模式下使用具有1欧姆负载的 TAS6424M-Q1。

请参阅"图82"。 TAS6424M-Q1典型双通道 PBTL 应用原理图"。

由于负载为1欧姆、放大器的输出电流将高于4欧姆。

其中一个问题是、由于规格的变化、例如 PBTL 模式下使用的输出线圈的电感值和 DCR 值、同一通道的两个输出端子上的电流平衡可能不相等。

示例:OUT_1P (引脚34)和 OUT_1M (引脚32)之间以及 OUT_2P (引脚40)和 OUT_2M (引脚38)之间的关系

在这种情况下、TAS6424M-Q1是否存在电流不平衡问题?

或者它是否必须保持中等电流平衡以保持稳定的运行和电气特性?

我们想获取一些建议。

通常、对于常规 BTL、我们使用2合1输出线圈并将其设计为推挽式操作、以更大限度地减少变化。

我们非常感谢您提供宝贵意见。

  • 请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    Gemma-San,

    电感器上的电感器容差应该接近。  20%的变化将会在 THD 方面产生一定程度的下降、但仍将符合规格。   

    此致、
    Gregg Scott

  • 请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    尊敬的 Gregg-San:

    感谢您尽快给予答复。

    请告诉我们更多信息。

    如您所知、正常的电感器容差为+20%~-20%。

    因此、电感器值3.3uH 将是3.96~2.64uH。

    二合一类型的电感器具有类似的电感值、但在 PBTL 模式下、需要4个线圈。

    我们需要考虑电感器在最大宽度下的容差。

    在这种情况下、TAS6424M-Q1是否仍能工作并表现良好?

    另外、我们需要查看 DCR 值以及电感器值、对吗?

    DCR 值还具有约+20%~-20%的容差。

    我们希望 TAS6424M-Q1具有内置功能、可补偿轻微的输出电流不平衡。

    相邻输出端子之间以及同一通道的推挽之间的隔离。

    我们对当前余额有何看法?

    请告知我们。

    谢谢!

    Kenji Gemma

  • 请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    Gemma-San,

    电感容差只会略微改变 THD。  DCR 容差不会影响性能、因为放大器将自行进行电流平衡。   

    此致、
    Gregg Scott

  • 请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    尊敬的 Gregg-San:

    感谢您的答复。

    我们知道、电感容差只会略微改变 THD。

    您能给我们再多讲一讲"放大器将电流自行平衡"吗?

    我们是否可以假设此行为适用于数据表"图82 "中 OUT_1P (引脚34)和 OUT_1M (引脚32)之间的关系。 TAS6424M-Q1典型双通道 PBTL 应用原理图"?
    是这样吗?

    谢谢!

    Kenji Gemma

  • 请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    您好、Kenji

      格雷格正在旅行,他会尽快回复你。 谢谢你。

  • 请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    尊敬的团队成员:
    感谢您与我们联系。
    我们期待着向格雷格-桑回复。
    谢谢!
    Kenji Gemma

  • 请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    您好、Kenji

    "放大器将自行平衡电流"[/报价]

    从 MOSFET 本身来看、如果电流较大、温度也会随着 Rdson 值的增加而升高。 因此、并联 MOSFET 将平衡电流、与使用的 PBTL 相同。 我们的器件无法检测电流、因此没有其他平衡方法。  

  • 请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    您好!
    感谢您的答复。
    我们不能正确理解。
    您能给我们提供更多信息吗?
    并联的 MOS FET 如何彼此保持电流平衡?
    我们知道、电流平衡意味着每个 MOS-FET 的输出电流具有相似的值。
    谢谢你。
    Kenji Gemma

  • 请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    您好、Kenji

    并联 MOS-FET 如何保持彼此的电流平衡?

    如果一个 MOSFET 流过更多电流、则其温度会变得更高。 当温度升高时、MOSFET 称为 Rdson 的内阻会增加。 由于此路径上的电阻器更多、因此流经此路径的电流将下降、进入另一个并联 MOSFET。 电流以这种方式进行平衡。

  • 请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    大家好。
    感谢您的回答。
    我们可以理解操作图像。
    那么 RDSon 的变化量是多少呢?
    数据表中的 Rdson 为 Typ90m Ω、我们认为其中的百分比会有所不同。
    线圈的 DCR 变化约为5m Ω、我们要将其与该值进行比较。
    不过、我们假设并联 MOS FET 在 IC 内部进行结构热耦合、对吗?
    示例:OUT_1P (34引脚)和 OUT_1M (32引脚) MOS-FET
    我们假设热耦合的 MOS-FET 将显示几乎相同的 RDSon 值。
    因此、在我们看来、无法保持良好的电流平衡。
    谢谢!
    Kenji Gemma

  • 请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    您好、Kenji

      对于仅由电流不平衡引起的 Rdson 变化、很难进行非常具体的计算。  

      从使用经验来看、不同的器件在这一点上也几乎没有变化。 使用 PBTL 时、最好提供10%到15%的 OC 点裕度。

  • 请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    大家好

    感谢您的答复。
    这个问题问得怎么样?

    不过、我们假设并联 MOS FET 在 IC 内部进行结构热耦合、对吗?
    示例:OUT_1P (34引脚)和 OUT_1M (32引脚) MOS-FET

    谢谢!
    Kenji Gemma

  • 请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    您好、Kenji

    我们假设并联 MOS-FET 在 IC 内部结构上热耦合,对吗?

    整个器件安装在同一散热焊盘上。 所以,我们可以说是的这个问题。

  • 请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    大家好

    他说:
    如果一个 MOSFET 流过更多电流、则其温度会变得更高。 当温度升高时、MOSFET 称为 Rdson 的内阻会增加。 由于此路径上的电阻器更多、因此流经此路径的电流将下降、进入另一个并联 MOSFET。 电流以这种方式进行平衡。

    请告诉我们。
    这是一个简单的问题。
    如果 MOS FET 热耦合、那么 MOS FET 不会有温差?
    如果是、平衡输出电流的操作似乎不稳定且无法正常工作。

    谢谢!
    Kenji Gemma

  • 请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    您好、Kenji

     MOSFET 中仍会存在温差。 如果两个通道的电流不同、会持续产生不同的热量、温度也会不同。  

  • 请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    大家好

    感谢您的答复。
    我们的理解是、尽管热耦合、但 MOS FET 上仍会存在温度差异。
    在您的支持下、我们发现我们似乎能够抑制参数输出电流的一些变化。
    这一次我们考虑使用我们使用的 TAS6424M-Q1。
    如果您有一个放大器器件在 PBL 模式下最适合1欧姆负载支持、请告知我们。
    这将包括您最近指出的 OC 设置。

    谢谢!
    Kenji Gemma

  • 请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    您好、Kenji

    如果您的放大器器件在 PBL 模式下更适合支持1欧姆负载,

    器件 TAS6584Q1会更合适。 它 的电流容量更大、更适合1 Ω 负载。 仅此器件更昂贵。

  • 请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    大家好

    感谢您的答复。
    TAS6424系列如何?

    Kenji Gemma

  • 请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    您好、Kenji

      TAS6424系列、TAS6424M 已具有最大的 OC 级别。 我们强烈推荐 TAS6424E、因为它具有更好的 EMC 性能。  

  • 请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    大家好

    感谢您的答复。
    我明白了。
    感谢您的支持。

    Kenji Gemma