[参考译文] TAS6424L-Q1：TAS6424现场烧毁

您好，宇通

  从图中可以看出、似乎所有 PVDD 引脚都具有明显的灼伤。 它是 FET 侧受损时的故障行为。 大多数情况下、PVDD 电源去耦可能导致该故障。  

 在此板的右侧中间是另一组 PVDD 引脚、但顶层没有去耦电容、或许可以将它们放在背面。 顶部至少需要放置100nF 电容、因此消除 PVDD 上的纹波非常重要。  

  在右侧、去耦电容器也可以使过孔更靠近器件。 电容器的 PVDD 和 GND 都应该有更多的过孔。

  我在图片中没有找到电解电容器、您能否确认它的位置？ 靠近器件也很重要。

 我们目前找到了多少个故障单元？ 我们可以使用示波器来捕获 OUT 到 GND 和 PVDD 到 GND 的波形、以检查当输出最高功率时的纹波是多少。 请记住在探头上使用接地环、并在靠近器件引脚的位置进行测试。  

您好，宇通

 当然可以、您可以将电子邮件发送至 shadow-he@ti.com 和 derek-gong@ti.com。