主题中讨论的其他器件：Tina-TI、、 JFE150EVM
您好、团队成员：
在双电源条件(VS =±3V)下使用 OPA1655来放大10kHz 方波调制信号。 我设计的 OPA1655系统的闭环带宽(或截止频率)为~100kHz。 我用 TINA-TI μV 并通过手算在10kHz 下证实的仿真输出噪声密度为3.73 μ V/√Hz、我想尝试使其尽可能接近该值... 这让我转而讨论电源噪声和旁路/去耦电容器。
我正在使用一个额定具有≤1mV rms 纹波的 B&K 1760A 直流电源(假定20 MHz 带宽是因为所附的数据表中未指定的)。 在忽略1/f 闪烁噪声的情况下、该电源的等效输出噪声密度为2.2 μ√μV Hz 宽带。 我 μV 降低(或在可能的情况下消除)此电源噪声、使其在10kHz 时的 OPA1655输出噪声比3.73 μ V/√Hz 低3倍。
我计划使用100nF NP0/C0G 封装电容器(用于低 ESR)作为旁路电容器、并根据 OPA1655数据表第8.4.1节的建议使用一个具有接地/电源平面的4层 PCB。
如果我希望进一步确保良好的信号保真度并降低电源噪声、应该：
1.使用与100nF 电容并联的附加低 ESR 陶瓷和/或电解电容、以便在电容 跨度为 OPA1655的 GBW 或仅涵盖我设计的 OPA1655系统的100kHz BW 时保持等效低阻抗？ (担心使用更多的电容器、因为可能会产生谐振。)
2.使用铁氧体磁珠而不是额外的旁路电容器？
是电容倍增器电路、例如发射极跟随器 NPN RC 滤波器(请参阅此视频 https://www.youtube.com/watch?v=wopmEyZKnYo)与选项1相比、可更好地消除电源噪声。 和2. ？
欢迎并感谢任何其他建议！
感谢您抽出时间阅读我的帖子！ (抱歉、这些问题很普通、这是我第一次设计模拟电路、更不用说高精度/低噪声电路了...)
