工具与软件：
您好！
我设计了一个采用16 x TAS5825M 的32通道放大器。 这就是使用 Infineon MA2304DNS (也是一个38W/通道、双通道器件)直接迁移现有的板、该器件现已停产。
根据数据表中的建议、我将使用铁氧体磁珠滤波器。
在没有音频传递、没有扬声器连接到输出端(但24MHz SCLK、TDM8)的情况下、整个电路板变得不可忍受的热(连接扬声器和音频传递也会发生这种情况)。 PVDD=24V 时、当我用手触摸芯片时、它会灼伤我。 将 PVDD 降低至12V、仍然很热。 每个芯片的空闲功耗超过1W。 (MA2304的空闲功耗低于50mW、触摸起来感觉很凉爽)。 第3层和第4层上有一个接地平面、并且有大量的散热过孔。
英飞凌的芯片即使音频音量比较大、也不是很热。
电路板按预期工作并正确放大音频、但我担心散热。 我能做些什么？ 我想在自然通风环境中使用24V 电源。 我不驱动重负载(4欧姆扬声器、最大功率约为5W)。
我的初始化例程如下所示：
结果= i2c.write_reg (I、0x00、0x00)；
result = i2c.write_reg (I、0x03、0b00000010)；
delay_milliseconds (20)；
结果= i2c.write_reg (I、0x6b、0x03)；
结果= i2c.write_reg (I、0x6c、0x03)；
结果= i2c.write_reg (I、0x54、0b00001111)；
结果= i2c.write_reg (I、0x7f、0x00)；
结果= i2c.write_reg (i、0x33、0b00010111)；
结果= i2c.write_reg (I、0x34、tdm_offset)；
result = i2c.write_reg (I、0x03、0b00000011)；
