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[参考译文] TPA3255:BTL 模式中的非过零方波

Guru**** 1774975 points
请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/audio-group/audio/f/audio-forum/1363476/tpa3255-not-zero-crossing-square-wave-in-btl-mode

器件型号:TPA3255

您好!

我设计了一个工作和性能良好的电路板、但是、它的功耗略高于空闲时的功耗(电感器会变热+散热器也会变热)。

我已经注意到、使用差分探头测量 OUTA/OUTB 和 OUTC/OUTD 两端时、方波并不是恰好在零交叉。
我把它和一个非常相似的设计板进行比较,在另一个完美的十字架。

您知道哪些元件会导致这种差异吗? 通道似乎具有不同的占空比。

无论是否存在负载。

此致、

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    您好!

    您能告诉我 sch、pvdd 电压、负载电阻值吗?

    通常、

    可能存在 LC 差异、这会导致2通道差异、从而导致空闲电流较大。

    2.pvdd 较高、负载较小、空闲电流自然也较大。

    Tks

    Jesse

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    您好!
    感谢您回复我、


    PVDD 为48V、无输入信号(仅空闲)、无论是否连接了负载、都无关紧要、但我通常使用8R 电阻负载进行测试。

    我知道在更高 PVDD 时耗散可能会更高、但当我将我的设计与非常相似的设计(相同的 PVDD、相同尺寸 的电感器)进行比较时、在我的设计中、电感器在空闲时非常快地达到+50C、而在另一个设计中、它们几乎不会发热。

    PS:顺便说一下、您是否知道我有1盎司覆铜、但对于空闲运行而言、您认为这很重要(数据表建议使用2盎司覆铜)。

    此致、

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    您好、SS44

    铜厚度对散热有很大影响。

    另外、让我们首先移除电感器、看看是否可以软化热量?

    此外、我们可以使用热测试仪来查看哪个元件以最快的速度增加电路板上的热量。

    Tks

    Jesse

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    尊敬的 Jesse:
    我准备了2oz 电路板、如果有需要、我会提供反馈。
    我移除了电感器、但功耗略有上升(从空闲~5W 到空闲~6.7W)。 请记住、我使用 PFFB、因此在本例中我断开了循环。 是的,我使用热像仪,散热器是热的,但不是热(~45°C ).
    即使没有电感器、我仍然可以在芯片输出的 BTL 模式下看到没有过零。 这是否正常? 它更小、但存在。 我是否有任何方法可以调整它(或者您是否知道会对它产生什么影响)?
    此致、

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    您好、SS44

    我不确定这种现象是否可以在其他芯片上发现?

    我们以前没有看到过这种问题。 似乎来自高侧和低侧 MOSFET 的不平衡。

    您可以检查 BST 电容变化是否会产生影响。

    Tks

    Jesse

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    谢谢 Jesse、

    我刚刚测试了2oz 铜布局-它确实改善了热参数(电感器不如以前热)。

    然而、这种不平衡仍然存在。 我已经注意到它根据 PVDD 而变化(当我改变电压时、干扰变得更大/更小)。

    我很快会尝试更多匹配的 BST 电容-将提供结果。

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    您好!

    另外如果您手头有另一个芯片、可以确认这一现象是逐个芯片还是逐板跟进。

    Tks

    Jess

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    尊敬的 Jesse:

    是的、我已经确认使用3个不同的芯片问题仍然存在。  

    我的升压电容非常接近(<1%)、它没有改变不平衡。

    值得一提的是、不平衡很小(如上面的屏幕截图所示)、但如果我突然从台式 PSU 上降下 PVDD (它动态增大、然后自动调整到一定程度)、它就会变大。 这可能与 PVDD 上的电容大小有关吗?

    此致、

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    您好!

    您手头是否有 EVM、或许可以使用我们的 EVM 进行确认、将这个问题与芯片或电路板设计分开。

    当 pVDD 压降时、两个半桥上的压降差可能会导致2个桥的输出端出现不同。

    我们还需要区分这是外部组件还是芯片造成的。

    Tks

    Jesse

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    尊敬的 Jesse:

    遗憾的是、我没有 EVM、或许其他人能够查看这个。

    无论如何、感谢您的帮助、

    此致、

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    您好!

    对于这是非常旧的 EVM、我将与我们的团队成员确认他们是否有该 EVM 来确认。

    Tks

    Jesse