[参考译文] TAS6424E-Q1：VDD POR 位行为取决于待机引脚

你好、Kuramochi-san

 可能存在一些误解。 我使用 EVM 进行尝试、通过下拉 STANDBY 引脚、不会设置 VDD POR。 仅在断电和重新上电的情况下、才会设置该位。 我们是否遗漏了任何其他详细信息？

您好！Shadow-San、

感谢您的确认。

我的问题不适用于 VDD POR 位"当"我们将/STANDBY 拉至低电平时的行为。
在清除 VDD POR 位结果时、我们对 VDD POR 的理解是需要由 MISC3清除。
此外、我们 了解到、通过 MISC3"在"/sANDBY 为高电平期间"清除 VDDPOR 位。

我们想知道是否可以通过 MISC3"在"/sANDBY 期间"清除 VDD POR 位从 IC 设计的角度来看是低的。
您能告诉我这一点吗？

此致、
Kuramochi 一树

您好！Shadow-San、

感谢您的确认。
我知道、TAS6424E-Q1的设计是因为在 STANDBY=LOW 期间可以通过 MISC3清除 VDD POR。

另一方面、客户确认以下行为。
STANDBY=LOW：VDD POR 尚未被 MISC3清除
STANDBY=HIGH：VDD POR 由 MISC3清除

是否有任何预期的根本原因？

目前、他们的系统正在进行初始化、包括 STANBY=LOW 期间清除故障。
这是因为 MISC5 PHASE_SEL 需要在 STANBY=LOW 期间进行此配置。
然后、他们观察了上述行为、因此从 IC 设计的角度询问预期的行为和 预期的根本原因。

此致、
Kuramochi 一树

Kuramochi-San,

进行了基准测试、结果为客户测量的结果：在待机 L 状态下、无法清除该位。  由于该器件的设计时间太长、因此我们无法弄清楚逻辑是怎样的。 因此、请按原样处理此行为。

迪伦

尊敬的 Dylan-san：

感谢您的确认。
遗憾的是、我没有 TAS6424"E"-Q1 EVM、因此我测试了 TAS6424-Q1 EVM。
有关故障/警告和待机引脚的测试摘要如下所示。

1. STANDBY 引脚=高电平
   1. FAULT (OV/OC)=它可以由 MISC3清除
   2. WARN (POR/OTW)=可以由 MISC3清除
2. 待机引脚=低电平
   1. FAULT (OV/OV)=当待机引脚切换为低电平时会清除这些寄存器、它不需要使用 MISC3。
   2. WARN (POR/OTW)=无法由 MISC3清除

根据该测试结果、我想 WARN 寄存器无法通过 STANDBY 引脚=低电平条件清除。
"你怎么知道的?

我理解这个问题问起来很难、但 TAS6424x-Q1系列是我们用于汽车应用的 Hero 器件、这些器件的状态为"正在供货"。
因此、我认为我们需要准备我们可以保证的答案、而不应以尝试和错误为主导。
至少、我认为我们需要从设计的角度解释 WARN/STANDBY/MISC 之间的预期相关性。

此致、
Kuramochi 一树

尊敬的 Dylan：

我理解我们的立场。
我解释如下。

STNADBY=LOW 期间的 I2C 访问仅用于对 R/W 寄存器进行初始化。
因此、在 STADBY=LOW 期间、我们不应使用 I2C 访问来监控只读寄存器和在这种情况下通过 R/W 寄存器更改只读寄存器。
因此、预期会观察到它们的行为。

如果我收到其他问题或疑虑、我会告诉您。

此致、
Kuramochi 一树