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[参考译文] TAC5242EVM-K:交流耦合输入电容器

Guru**** 2385370 points
Other Parts Discussed in Thread: TAC5242EVM-K
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https://e2e.ti.com/support/audio-group/audio/f/audio-forum/1456201/tac5242evm-k-ac-coupling-input-capacitor

器件型号:TAC5242EVM-K

工具与软件:

在 TAC5242EVM-K 中、一个质量相对较低且容值为10uF 的 X5R 陶瓷电容器被用于输入交流耦合(C4、C5、C7、C8)。 由于这直接位于音频路径中、因此该电容器对于失真性能而言不是很关键、应该是质量高得多且更合适的电容器、例如 X7R 或电解电容器、如本文档 https://www.ti.com/lit/an/slyt796a/slyt796a.pdf?中所述

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    您好!

    您引用的是正确的文档。 出于成本考虑、EVM 使用了质量较低的输入电容器。 但是、如果您的设计中需要考虑音频失真问题、那么我们建议使用 X7R 电容器甚至更好的薄膜电容器。 该应用手册中的建议也适用于此编解码器。

    此致、
    Jeff McPherson

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    我能否在电容器之后串联一个100k 的电阻器 、然后将电容器尺寸减小到可使用 C0G 的值(如0.15uH)、或者不建议这样做?

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    尊敬的 Aforino:

    我假设您的计划是添加电阻器、以保持截止频率不变(由电容器+输入阻抗形成)。 但这仍然会使陶瓷电容器的非线性度增加到音频路径。  

    该材料是主要因素、而不是电容器的尺寸。

    此致、
    Jeff McPherson

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    尊敬的 Jeff:  

    感谢您的快速响应。

    因此、我的计划是将电容器的大小减小到大约0.15uH、以便我可以使用 C0G 电容器、因为 C0G 电容器的值不是10uF。 与 X5R 和 X7R 电容器相比、C0G 陶瓷电容器应提供非常低的失真。

    此致!

    Aforino

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    我回答了自己的问题。 显著增加输入电阻会降低噪声抗扰度、这与本例中不理想的噪声抗扰度完全相同。