[参考译文] CC2340R5-Q1：调整 NVS 导致上电顺序存在差异。

补充第二次上电执行期间的功耗监控。

您好、

出于好奇心、您是否尝试过升级到最新的 SDK 来看看这是否仍然存在？  

Unknown 说：

是否有办法通过软件将 CC2340R5复位为出厂模式而无需拆焊芯片？
我在 UniFlash 中尝试了芯片擦除、但它不起作用。

批量擦除操作应擦除器件上的所有内容。 澄清一下、在芯片上完成批量擦除后、数据仍在闪存中？

Unknown 说：

基于软件的重置将大大简化将来的测试。

这确实存在。 请参阅此处： https://dev.ti.com/tirex/content/simplelink_lowpower_f3_sdk_8_40_00_61/docs/drivers/doxygen/html/_power_8h.html#a1db423246eb4407154df05d8fedbf746

Unknown 说：

在第二次启动时、执行将在大约2秒内到达程序区域。
但是、如果修改了 NVS、则系统需要三次引导才能在2秒内稳定。

我有点困惑、您是否想详细说明 系统需要三个靴子才能在2秒内稳定下来？

此致、

Nima Behmanesh

您好、

由于我们已经进入产品验证阶段、因此目前不适合切换到不同的 SDK。

对我之前的简短描述表示歉意。 最近、我进行了进一步测试、发现当使用修改后的 NVS 设置将固件刷写到空白 IC 时、首次上电始终会受到影响。 但是、如果重新刷新了固件、则不会再次出现此问题。

器件引导过程：

观察到的行为：
我使用电流表捕获了功耗数据、在第一次引导时 NVS 写入和 SPI 传输似乎都受到影响。 这会使正确的 NVS 读取/写入操作和 SPI 控制仅在第二次引导时运行。

问题：
修改 NVS 地址区域是否要求系统重写相应的信息？
我们如何防止此重叠导致首次引导期间的控制失败？

您好、

是的、NVS 写入之前通常会出现失效、然后写入下一个可用的 NVS 存储器部分：

https://dev.ti.com/tirex/content/simplelink_lowpower_f3_sdk_8_40_00_61/docs/ble5stack/ble_user_guide/html/ble-stack-common/flash_memory-cc23xx.html?highlight=non%20volatile#non-volatile-storage-architecture

此外、NVS 将禁用中断并在闪存中执行代码： NVSLPF3.h 文件参考

因此、如果 NVS 向器件写入信息、为什么 SPI 可能无法工作、这是合理的。  

Unknown 说：

对我之前的简短描述表示歉意。 最近、我进行了进一步测试、发现当使用修改后的 NVS 设置将固件刷写到空白 IC 时、首次上电始终会受到影响。 但是、如果重新刷新了固件、则不会再次出现此问题。

由于 首次上电始终受到影响、 您意味着需要更长的时间才能执行？  

此致、

Nima Behmanesh

您好、

首次上电时始终会受到影响、这不仅是因为执行时间较长、而且还因为未能将默认值写入 NVS。
仅当使用修改后的 NVS 地址区域刷写固件时、才会出现此问题。 (我们测试了相同的项目代码、只更改了 NVS 配置。)
我们不确定在首次引导过程中、使用修改后的 NVS 地址将固件刷写到空白 IC 后会发生哪些特定过程、从而导致 NVS 写入失败。
此外、我们还需要有关如何防止该问题发生的指导。
此问题已在我们的 ATE 程序中造成错误检测、因此、我们非常感谢您对解决此问题的支持。

您好：

我很抱歉耽误时间,我上周生病了。

我想我现在更好地理解了问题。 如果它是空白芯片并且未使用我们项目中包含的默认 NVS 设置、则在首次启动时写入该设置时会出现问题。 在第二次引导之后、除写入之外、第三次引导通常会发生。

如果我的理解不正确、请告诉我。 我需要联系驾驶员团队、了解流程。 同时、我自己试一下。  

下面是我要尝试重现的步骤：

获取空白 CC2340R5并使用修改后的 NVS 设置对其进行刷写

2.阅读 NVS,

3.如果它是空的,写一些东西

如果问题再次出现、则在首次引导时写入应失败。

是这样吗？

此致、

Nima Behmanesh

您好、

没问题、请注意。
是的、您的理解是正确的、您计划进行的测试与我当前的流程保持一致。
期待您的更新。 谢谢！

尊敬的 Ian：

在我开始之前的几个问题、今天尝试重现该问题：

1.您使用的是 NVS 和外部闪存吗?

2.您使用的编译器是什么?

这些将帮助我排除可能导致此问题的一些变量。

此致、

Nima Behmanesh

您好、

1.我们使用 basic_ble_oad_dual_image 示例并将默认的16KB 内部 NVS 修改为两个单独的8KB 块、地址配置如上一个比较图像所示。
编译器版本：TI Clang v3.2.1.LTS。

您好：

感谢您提供的信息、我将在今天或明天回复我的结果。

感谢您的耐心。

此致、

Nima Behmanesh

您好、

是否有任何更新？ 您是否需要我们的进一步支持？

您好：

很抱歉耽误时间、我们仍在处理这个问题。 我会尽快回复您。

此致、

Nima Behmanesh

您好：

我已经在一个空项目上测试了 NVS、但我没有看到任何问题。 这让我想到的可能是涉及 BLE 栈的问题。 您是在堆栈初始化之前还是之后调用 NVS API？ 您在应用程序中的哪个函数中调用 NVS API？

我将自行尝试、但知道您在哪里调用这些 API (根据您之前提供的图表)、我将能够更快地重现此问题。

此致、

Nima Behmanesh

您好、

我认为你的推理是正确的。 在我的程序流中、广播和其他运行参数存储在 NVS 中、因此我需要在初始化 BLE 栈之前检索这些参数。 因此、NVS API 调用发生在 BLE 栈初始化之前。
但是、我注意到 osal_SNV_init 仅在 iCall 初始化后执行。 即使我提前手动调用它、它也不会生效。
是否有办法在 BLE 栈初始化之前初始化 NVS、从而确保我可以访问存储的参数？

这是我的代码片段。

您好、

抱歉、我似乎误解了该代码。 App_StackInitDoneHandler照射行程 之后 BLE 栈初始化、因此我的 NVS API 调用确实已被执行 之后 BLE 栈已初始化。

您好：

我在 basic_ble 上尝试了相同的测试、但在初始化堆栈之前读取/写入 NVS、并且没有看到任何问题。 我通过修改    app_main.c 中的 appMain 函数来实现此目的：

NVS_Handle region1;
NVS_Params nvsParams;
uint8_t buf[32] = {0};

void appMain(void)
{
    NVS_init();
    GPIO_init();

    NVS_Params_init(&nvsParams);
    region1 = NVS_open(CONFIG_NVS_0, &nvsParams);

    int_fast16_t status = 0;
    status = NVS_read(region1, 0, buf, 1);
    if (status != NVS_STATUS_SUCCESS)
    {
        GPIO_write(CONFIG_GPIO_LED_RED, 1);
        while(1);
    }

    if (buf[0] == 0xFF)
    {
        status = NVS_write(region1, 0, 0, 1, NVS_WRITE_POST_VERIFY);
        if (status != NVS_STATUS_SUCCESS)
        {
            GPIO_write(CONFIG_GPIO_LED_GREEN, 1);
            while(1);
        }
    }

    // Call the BLEAppUtil module init function
    BLEAppUtil_init(&criticalErrorHandler, &App_StackInitDoneHandler,
                    &appMainParams, &appMainPeriCentParams);
}

请注意、我正在初始化堆栈之前进行读取和写入。

此致、

Nima Behmanesh

您好、

由于文档中建议使用 OSAL 来访问 NV、因此我们使用 osal_SNV_READ ()和 osal_SNV_WRITE ()来直接访问 BLE_NVID_CUST_START 位置。
您是否介意根据该方法再次使用 OSAL 进行测试？

您好：

是的、我明天会尝试此操作、然后再联系您。

此致、

Nima Behmanesh

您好、

对延迟的更新深表歉意、我们最近正忙于执行量产工作。
我已经遵循了您的第一条建议、计划于下周进行验证。
我会随时向您发布任何新进展。

您好：

不用担心、请让我知道它是如何实现的！

此致、

Nima Behmanesh