Other Parts Discussed in Thread: CC2340R5, UNIFLASH, MSPM0G1107
工具/软件：
您好、
我们制作了一个使用 SPI 和 ROM 串行引导加载程序对 CC2340R5进行编程的工具。
CC2345R5可编程正常。 我们希望读取闪存、但是我们
在参考手册中未找到任何命令。
我们还检查是否使用 SWD 进行编程时没有 SACI 命令。
因此、我们想知道如何读取闪存、可能需要一些详细的文档。
您好、Ryan、
编程时使用 CRC、但仍需要读出闪存数据。
1.对于 闪存引导加载程序、我下载了 SDK"simplelink_lowpower_f3_SDK_8_40_02_01"、但我没有找到有关写入和读取闪存的演示、您能给我展示一个有关闪存操作的演示项目吗？
2.实际上我尝试使用 SWD 对器件进行编程、但这个器件与包含 Cortex-M 内核的其他器件似乎不同。 我无法连接此器件、但我可以连接其他 TI 器件、例如 MSPM0G1107。 (上述测试不使用 UNIFLASH 或 CCS (仅限我们自己的 SWD 工具)、我们根据 ARM 调试接口文档发送 SWD 命令)。
在 RM -第5.3.1节物理接口-它指出：
在对调试探针进行物理连接后、 配置序列 必须从调试探针发送到
目标器件来启动与 SW-DP 的有效 SWD 连接。 无效序列不会唤醒器件
从关断模式
您能说出什么是"配置序列"吗？
您好、Ryan、
感谢提供了相关的 e2e 线程、器件必须需要使用 SWD 进行配置才能保持休眠状态。
现在我可以阅读该器件的正面部分。 但我无法读取整个闪存、似乎器件会在几秒钟后进入低功耗模式或某种特殊模式。
调试端口连接了3个 AP、我发现 UniFlash 对 CFG_AP 执行一些操作。 我没有找到 CFG_AP 的说明、因此必须 执行任何操作来配置 CFG_AP。 器件会进入某种省电模式？
