[参考译文] CC2340R5-Q1：我们只能将数据写入 NVS 一次

您好：

写入非易失性闪存时、必须进行擦除、因为写入是 AND 操作(请注意、这不是 TI API 的限制、而是 闪存的限制)。 为了进行更新、您需要读取扇区(或仅读取存储在该扇区中的数据)、对该缓冲区进行任何更新、擦除该扇区、然后用所需的更新写回缓冲区。 或者、您可以将数据写入同一扇区、但每次写入(管理)的偏移量都会递增、直到该扇区已满。 扇区已满后、读出数据、擦除、复位偏移量并重新写入。  使用 NVS 驱动程序意味着自己管理此过程。

但是、我们通常建议使用  osal_SNV  包装器 来执行此操作。  OSA_SNV  包装了 NV 函数(NVINTF、NVS 和 NVOCMP)、以简化对非易失性存储器的写入：

NVINTF：

NVINTF 是一个抽象层、它定义了一组通用的 API、用于使用 ID 系统与非易失性存储器进行交互。 这组通用的 API 允许在不更改堆栈和应用程序中的 API 调用的情况下实现新的 NV 存储方法。 ID 系统效率最高、因为它将存储的数据与其闪存中的地址进行解耦。 这是必要的、因为闪存存储体必须在再次写入之前擦除整个扇区(清除一个位除外)。 使用 ID 系统、当需要更新 NV 商品时、只需将其失效并重新存储在不同的地址即可。 NV 系统装满未使用的项目后、将发生压实。 压实是删除未使用的项目。

对于在 NV 存储中添加或更新的每个 NV 项、该项都会写入活动闪存页面中的下一个最低可用存储器地址。 如果要更新 NV 商品、旧的 NV 商品将被标记为"未激活"。 当发生内存压缩时、不活动项目将从内存中删除。

我建议阅读我在上面提供的全部文档。 请注意、频繁写入非易失性存储器区域将导致闪存磨损和其他 限制、尽管  osal_SNV  将导致擦除更少、但在发生压缩时可能会产生更多延迟(删除上面文档中介绍的非活动项)。

此致、

Nima Behmanesh