请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。
器件型号：CC2745R10-Q1工具/软件：
TI 团队大家好：
我们计划将 NVS（非易失性存储）用于 UDS 实施。 然而、由于 NVS 的某些局限性、我们目前面临一些挑战。
具体来说、NVS 不支持单字节写入操作执行此类操作会导致整个扇区的擦除。 此外、由于 NVS 的写入/擦除周期有限、因此为进行少量数据更新擦除整个扇区是不切实际的。
例如、如果我们已写入 256 个字节的数据并且只需要修改一个字节、该过程需要将整个 256 字节读取到 RAM 中、更新所需的字节、然后将整个块重写回 NVS。
这种方法有两个主要缺点：
-
缩短了 NVS 的写入/擦除周期寿命。
-
增加了用于处理读取/修改写入操作的 RAM 用量。
我们想讨论克服这些限制的可能替代方法或优化方法。
此致、
Ratan Dalei
