Thread 中讨论的其他器件: BLE-STACK
工具/软件:Code Composer Studio
早上好、
我们使用 CC2650生产了1000个 PCB、并使用以下器件开发了固件:
- 编译器版本 TI v5.2.6
- TI-RTOS 2.13.0.06
- BLE 堆栈 v2.1.1
- 在我们的 FW 中、我们具有:
- OSAL_SNV=1
- GAP_BUK_Mgr
- 图元_OAD
我们使用 BLE_NVID_CUST_START 0x80中的内部闪存页0x1D000-0x1F000、使用 osal_SNV_write/read API 将我们需要的一些值存储在非易失性存储器中。
我们发现在 OAD 之后、 osal_SNV_write API 返回成功 、但在下电上电后、osal_SNV_read 不返回成功。
相反、如果在 OAD 之后我们执行另一个循环通电、则所有操作都正常、 osal_SNV_write/read 都将返回成功、并且我们可以在非易失性存储器工作正常的情况下执行所需的所有循环通电。
在一个 OAD 之后、内部闪存看起来像是被锁定或者处于某种保护模式。 通过 JTAG 手动闪存后、我们看到了相同的行为:我们需要另一个下电上电周期才能正确使用非易失性存储器。
您能不能告诉我们我们我们是否可以对此问题采取行动? 非常感谢您的支持。
此致、
Simone Frau

