[参考译文] CCS/LAUNCHXL-CC2640R2：使用 SNV 存储器存储密钥

如果有任何帮助、我们将不胜感激！

谢谢、

Arrenan

谢谢 Marie、我刚刚再次看了一下。

在继续之前、我认为最好能更好地理解方法的基础知识。

uint8 osal_snv_write (osalSnvId_t id、osalSnvlen_t len、void * pBuf)

它说 id 是"有效 NV 项目"。 这到底是什么意思？ 在示例代码中、它们将0x80定义为 SNV_ID_APP -这是否会针对代码的应用进行更改？

这是我对我需要做什么的理解-如果您能突出我的流程中的任何问题、我将不胜感激：

1) 1)定义全局变量 BUF_LEN 和 SNV_ID_APP

2)创建4个 uint8缓冲区(buf1、buf2、buf3、buf4)、并存储相同32字节密钥的4个不同部分

3) 3)使用 osal_SNV_read ()检查是否成功、如果失败、则使用 osal_SNV_write（)将第一个缓冲区的内容写入 SNV 存储器。  

4) 4)对其他三个缓冲区重复步骤3、从而将整个密钥存储到 SNV 存储器中。

我看到的一个问题是、我不理解如何指定每个缓冲区的内容将存储在哪个位置。 SNV_ID_APP 控制的值是否显示位置？

谢谢、

Arrenan

 

尊敬的 Arrenan：

请参阅软件开发指南中 Marie 提供的链接中的"使用简单 NV 进行闪存存储"部分。

我不确定您在哪里看到长度限制。 osalSnvLen_t 默认为 uint8、因此您可以为每个 nV 记录写入最多255个字节。

祝你一切顺利

您好、JXS、

你是对的、我想我误解了。 考虑到缓冲区是一个8位无符号整数的数组、我是否必须创建一个 BUF_LEN = 32 (对于32个字节)的缓冲区、并在32个位置的每个位置将密钥存储为32个部分？

此外、我仍然不完全了解 SNV_ID_APP。 'nV 项'只是电路板上的一个存储器点吗？ 如果我有2个密钥、我不希望第二个密钥覆盖第一个密钥-那么我如何指定每个密钥的存储位置？

谢谢、

Arrenan