[参考译文] CC2652P7：使用 SmartRF Studio7测试定制板 CC2652P7 RF-BLE - PA 端口无 TX 信号、RX 信号强度较差

Rafael、您好！

非常感谢您提供全面和宝贵的反馈。

尤其是您关于偏置的评论引起了我的注意、我将不同 TX、RX 条件下的 RF_P、N 引脚和 TX_20dBM_P、N 引脚上的直流电压与 LP-CC1352P7-4进行了比较。

对于 LP-CC1352P7-4、我获得：
RX：RF_P、N ~30mV
TX5dBm：RF_P、N 0.65V
TX10dBm：TX_20dBM_P、N：1.6V (始终为 VDDR)

在我采用 IPC LFB182G45BG2D280的定制电路板 CC2652P7上 、我获得了：
RX：RF_P、N ~1V (RX RSSI 较差)
TX5dBm：RF_P、N 0.65V (TX RSSI 正常、与 LP-CC1352P7-4相似)
TX10dBm：TX_20dBM_P、N：~15mV (无信号)

我的测试环境再次是2个 LP-CC1352P7-4、其中一个已连接定制板、两者均由 SmartRF Studio 7并联操作。

选择了我从原始 LP-CC1352P7-4配置继承的 InSmartRF Studio 7"外部偏置差分 RF"。 当我将其更改为"内部偏置差分射频"时、定制板的 RX 性能显著提高。 RX 期间、偏置也从~1V 变为~300mV。
当功率放大器关闭 RX 时、5dBm 模式下的 TX 性能出色、与 LP-CC1352P7-4相当。
功率放大器仍然打开后、TX_20dBM_P、N 上没有 TX 信号、偏置保持在~1.5mV。

接下来、我 使用欧姆计检查了 IPC LFB182G45BG2D280。 平衡端口之间和朝向 PA 路径中连接至 VDDR 的引脚2的引脚2似乎没有电感器。 隔直电容显然可与 GND 引脚相连。 显然、PA 路径需要外部偏置、如 LP-CC1352P7-4的原理图所示、不支持任何内部偏置配置。

请注意 https://www.ti.com/lit/an/swra729/swra729.pdf 、"2.4GHz、10dBm PA IPC、适用于 CC26x2P 和 CC1352P"。 本 TI 应用手册介绍了如何在 CC2652P PA 应用中使用 IPC LFB182G45BG2D280、尤其是在空间有限的情况下。
我的定制板是根据原理图"图1-3设计的。 CC2652P PA IPC EM 修订版1.0原理图"、 按建议使用 IPC LFB182G45BG2D280。 我希望它能与使用 LP-CC1352P7-4分立器件的设计相同。

您能否告知是否需要进行任何修改或特定射频设置才能使此设计在 PA 模式下工作？

此致

克里斯托夫

Christoph,

c di 说：

当我将其更改为"内部偏置差分射频"时，我的定制板的 RX 性能显著提高。

抱歉、我忘了这确实是我们的 Launchpad 的默认配置、包括我在上面分享的原理图中使用的配置。 在这种情况下、预计+5dBm 路径会有所改善。

c di 说：

仍然在功率放大器打开时我在 TX_20dBM_P、N 上没有 TX 信号，偏置保持在~1.5mV [/报价]

感谢您突出显示该应用手册-很抱歉、我从您的原始帖子中错过了该应用手册。

实际上不需要阻断电容器、但1.5mV 的 PA 偏置确实异常。 对于+20dBm 运行、IPC 应该使用 VDDS 为 RF_P 供电、或者对于+10dBm 运行、IPC 应该使用 VDDR 供电。 这由 I shared 上述原理图中所示的电阻器 R6/R7选择、并在应用手册的图1-2中显示(对于+10dBm)。 我想知道它是否已经损坏,但它将是罕见的发生在所有的板的你的手.

为了规避不同的射频开关 DIO 分配并在+20dBm 射频路径上获得输出、必须在 SmartRF Studio 中设置这些引脚。 在 CC2652P7_BLE-Device 的"Device Control Panel"中操作、启用高输出功率 PA、然后转至菜单"Settings"->"Custom Target Configuration"。 您应该会看到 Tx 和 Rx 路径的 I/O 信号、

我将尝试在这里收集电路板上的一些测量结果、并报告得出的任何结果。

此致、

拉斐尔

Rafael、您好！

只是为了确保达成共识：

当我提到"定制硬件"时、我指的是我们的定制板。 连接到 LP-CC1352P7-4 Launchpad 进行调试。 禁用 Launchpad 上的本地 MCU。 通过 SmartRF Studio、我将这一个和另一个 LP-CC1352P7-4并联、我将其用作测试定制电路板的 RX 和 TX 模式的参考。
在 LP-CC1352P7-4上、默认前端设置为"外部偏置差分射频"、我最初也在定制电路板上使用该设置。
当我将定制电路板的前端设置更改为"内部偏置差分 RF"时、RX RSSI 从较差的-80dBm 增加到-40dBm。
在我们的定制设计中、根据应用手册 https://www.ti.com/lit/an/swra729/swra729.pdf 、PA 路径上的电感器 L11、L12和 L52、L53缺失。 这是与 上述 LP-CC1352P7-4原理图的主要区别。
"外部偏置差分 RF"设置似乎对 PA 路径没有影响。
LFB182G45BG2D280内部似乎没有电感器、因此在应用手册设计中、射频引脚似乎没有到 VDDR、VDDS 或 RX_TX 的直流连接。

我不认为 IPC LFB182G45BG2D280已损坏。 我在3个不同的电路板上进行了测试、结果完全相同、但不能做更多的事情来验证。

我还完全了解 Smart RF Studio 中的 DIO 设置选项。 我适当地创建了一个自定义目标设置 DIO、并在 TX、RX 期间通过示波器验证了那里的状态。 在此对话框中、我还将前端设置从外部更改为内部、从而显著提高 RX 灵敏度。

或许这一切都要归功于应用手册配置中偏置电路的行为。 另外、提供有关 IPC LFB182G45BG2D280内部部件的原理图也会很有帮助。 不幸的是,我找不到任何具体的 Murata 网站。 如果我们可以继续进行应用手册设计并将其用于下一批更大的传感器生产、我希望有一个明确的声明。

此致

克里斯托夫

Christoph,

c di 说：

当我提到"定制硬件"时，我是在谈论我们的定制板。

感谢澄清；我怀疑您是在使用半个 LaunchPad 进行调试、但最好100%确定。

c di 说：

当我将定制板的前端设置更改为"内部偏置差分 RF"时，RX RSSI 从较差的-80dBm 增大到-40dBm。

的确，这是预料之中的。 由于您遵循了应用手册中所示的设计、+5dBm 路径使用内部偏置。

c di 说：

设置"外部偏置差分 RF"似乎对 PA 路径没有影响。

PA 路径需要外部偏置-来自 VDDS 或 VDDR、具体取决于输出电压。 尽管 IPC 数据表提到的最大功率为500mW (~26dBm)、但应用手册中有一点我觉得奇怪、那就是它只提到了+10dBm、而没有提到+20dBm。

c di 说：

LFB182G45BG2D280内部似乎没有电感器，因此在应用手册设计中，射频引脚似乎没有直流连接到 VDDR 或 VDDS 或 RX_TX。[/报价]

查看应用手册的第1.1.1节(图1-2)、该节介绍了 IPC 的等效电路、情况不应如此。 IPC 应使用 L52作为低阻抗直流路径。 您能否测量未焊接的 IPC 器件并查看其引脚2和3/4之间是否导通？

我在常规 LaunchPad 上测量了电压、并且 PA 的 RF_P 端子上确实存在 VDDS 偏置(针对+20dBm)。

我将尝试获取其中一种化学品安全方案并进行一些测量。

希望这对您有所帮助。

拉斐尔

Rafael、您好！

首先、非常感谢您为解决我的问题所做的详细调查工作。

应用手册原理图1-3中引起了我注意的一个细节。 提及的化学品安全方案有两种类型。

LFB182G45BG5D920写在顶部、LFB182G45BG2D280写在 FL1、2旁边。
Murata 数据表将 LFB182G45BG5D920专用于 CC26xx、将 LFB182G45BG2D280专用于 CC253x、CC254x、CC8520。

哪个部件实际应与 CC2652P7 MCU 配合使用？

不幸的是、Murata 没有披露其 IPC 的任何内部结构、因此从数据表中我无法看到是否有电感器。

我已经测量了我的几个 IPC、引脚2、3、4之间没有连续性。 我正在使用的 LFB182G45BG2D280可能是错误的部件。
如果您能采购其中的一个器件以验证是否存在电感器、我将不胜感激。
我们从 Mouser 购买了我们的器件。 很遗憾、器件上没有用于标识其类型的标签。 他们可能发错了商品、但这种情况不太可能发生。

此致

克里斯托夫

Rafael、您好！

LFB182G45BGEF296似乎非常罕见。 您能否将链接发布到您在 Newark 找到该器件的位置。

此致

克里斯托夫