[参考译文] CC2340R5-Q1：如何在不擦除的情况下进行烧写

Preston、

当您说"刻录"时、您能否澄清一下、您的意思是正确刷写？

请提供所看到的错误以及您正在使用的 Uniflash 的版本。  

您好 Preston：  

我能不能问为什么刷写器件而不擦除闪存？ 是否有您希望保持不变的特定地区？  

如果您希望保持 CCFG 部分不变、则可以选择  芯片擦除(CCFG 中指定的保留扇区) 。   

请阅读 用户指南的非易失性接口部分、其中将说明在重新闪存之前必须擦除闪存。  

如果您还有任何问题、请告诉我！  

谢谢。  

艾萨克

您好、 Isaac

我们当前需要将工厂数据(例如产品 ID)保存在闪存中、不允许擦除。

我正在使用 NVS 请求0x7f000-0x80000空间以保存工厂 数据、但重新闪存后、该区域会被擦除。

是否有办法可以保存这些数据、以免在重新闪存时被擦除？  

或者、是否有不会擦除的用户存储数据区域？

此致

普雷斯顿

您好 Preston：  

您能否向我提供您正在使用的 SDK？  

对于给您带来的不便、我深表歉意、但我仍在努力进行回复。 请在周五期待解答。  

谢谢。  

艾萨克

您好、 Isaac

我正在使用的 SDK 为 simplelink_lowpower_f3_sdk_7_40_00_64。

在此之前、我参考 nvsinternal_LP_EM_CC2340R5_freertos_ticlang 以使用 NVS 读取/写入函数。

此致

普雷斯顿

您好 Preston：  

技术参考手册参考 了 chipEraseRetain。 可以设置此字段、以便在尝试重新刷写器件时保留特定的闪存区域。 请阅读第8.2.2、8.2.4.2和8.3.2.3节以了解更多信息。  此外、该字段包含在 hw_ccfg.h 文件中。  

如果您有任何问题、请告诉我！  

谢谢。  

艾萨克

您好、 Isaac

我的工厂 数据闪存区域范围是0x7F000至0x80000。

首先,我通过 NVS_WRITE ()将出厂数据写入上述区域。

然后、我注释掉了与操作 NVS 相关的代码、并 重新刷写了代码。 此区域仍恢复为0xFF。

我的闪存保护设置如下图所示：

我能不能问、是否存在导致扇区不被保留的错误配置？ 我的理解是、通过将 Erase/retain、Main Sectors 32-255选项中的数据更改为1、这个扇区将受到保护。

此致

普雷斯顿