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工具与软件：
您好、TI 团队
您是否愿意与我们分享 CC2340R5-Q1射频设计的最佳设计？
有一点我们感到困惑、那就是我们使用默认匹配(来自芯片1.5pF 2.8nH 1.5pF)、这与 TI 2340R5射频设计相同、我们 得到的 S11如下图所示：
在不发送 cmd 并获取 S11 Smith 的情况下为 DUT 上电： 当 DUT 上电并发送 RX cmd 01 1D 20 01 00时、 S11 Smith：
之后、我们调整了匹配(来自芯片1.5pF 2.8nH 2.0pF)、该值更接近 Smith 中心、并且我们 得到 S11、如下所示：
在不发送 cmd 并获取 S11 Smith 的情况下为 DUT 上电： 当 DUT 上电并 发送 RX cmd 01 1D 20 01 00时、S11 Smith：
然后我们使用 IQFACT+测试射频性能,我们发现 maching1(1.5pF 2.8nH 1.5pF)的功率优于 Maching2(1.5pF 2.8nH 2.0pF)的功率,但灵敏度几乎相同:
现在、我们想让您了解哪个匹配更好？ 而 In Smith 关于 CC2340R5-Q1、在 CC2340R5-Q1射频设计中、匹配位置在哪里？
我们的天线匹配几乎位于 Smith 的中心。 我们还想说、如果我们要在 TRP 中获得出色的功耗、我们如何根据 TX 模式匹配或 RX 模式匹配来调整射频设计中的前端匹配？
总之、如何 通过润湿 前端 匹配来获得最佳性能、在天线匹配的情况下是可以的？
此致、
Annie
