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当使用非常长的死区时间时、我似乎在半桥的低侧遇到了一些漏掉的 PWM 脉冲。 这会导致半桥中的同步自举 FET 永远不会导通、因此高侧 FET 也无法导通。
以下是我尝试执行的操作:
我正在使用 C2000 F28388D 微控制器控制三相双向直流/直流转换器。
PWM 频率为 500kHz。
实时 HRPWM。
每个相位偏移 120 度、以尽可能减少输出端的纹波。
半桥 IC 是一个 EPC2152、它具有一个同步自举 FET、当低侧 PWM 信号为高电平时会导通、以便为自举电容器充电。
每个相位的输出端都有一个背对背 FET、可在转换器启动时将每个相位与负载断开。
PWM 占空比由 CLA 上运行的任务控制、以保持目标电流。
在转换器启动期间、我希望实现以下行为:
1.从一小段时间内极低的占空比开始为自举电容器充电。 这一阶段具有较小的死区时间。
2.设置固定占空比为输出电容器充电至与背对背 FET(连接了电池)输出侧相同的电压、以更大程度地减小 FET 启用时流经它的电流瞬态。
3.设置一个非常大的死区时间,以降低转换器的最大电流输出。 这个死区时间不到 PWM 周期的一半。 设置这一较大的死区时间是为了在启动期间、当我们“猜测“初始占空比(这不可避免地是错误的)时、系统输出和转换器之间的电流会尽可能减小。 我希望死区时间非常长、但高侧和低侧 FET 的脉冲导通时间应根据占空比成比例。
4.启用背对背 FET、将转换器的输出连接到系统(已连接电池)。 此时、电池和转换器的输出电容器之间有一个小瞬态电流、用于均衡小电压差。
5.使 CLA 任务能够控制转换器的占空比、目标电流为 0A。 此任务以 350kHz 的频率运行。 在 CLA 任务的 1023 次迭代 (~3ms) 之后、在 CPU1 上生成一个中断。 此时、死区时间仍然非常大。
6.生成中断时、CPU1 会检查电流以确保其稳定在接近 0A(确保 CLA 能够控制负载)。 如果电流接近 0、则应缩短死区时间。
7.最终、当死区时间达到目标死区时间(非常短)时、转换器启动完成。 我们现在可以设置需要的任何目标电流、CLA 将控制占空比以满足电流要求。
我希望这种设置是合理的。
问题如下:
当我们设置非常长的死区时间(步骤 3)时、直流/直流转换器低侧 的脉冲会消失、并导致自举电压下降、因为同步自举 FET 绝不会开启以对其进行重新充电。
如有任何帮助、我们将不胜感激。 我猜是 我没有正确使用死区时间和占空比的配置、在不知道这些设置或限值的情况下违反了这些设置或限值。