[参考译文] TMS320F28377D：从闪存读取时的数据缓存行为

Other Parts Discussed in Thread: TMS320F28377D

https://e2e.ti.com/support/microcontrollers/c2000-microcontrollers-group/c2000/f/c2000-microcontrollers-forum/1604690/tms320f28377d-data-cache-behavior-when-reading-from-flash-memory

器件型号： TMS320F28377D

我对将数据从闪存复制到 RAM 时的数据缓存行为有疑问。

*环境:**
- CPU: TMS320F28377D
-板:定制印刷电路板
-时钟频率: 200MHz（5ns/周期）
-代码段:.TI.ramfunc（从 RAM 执行）
-闪存等待状态: 3 个周期
-数据缓存:已启用
-预取:已启用

**测试已执行:**
我通过切换 GPIO13、同时使用两种不同的方法将 128 位数据从闪存（扇区 H：0x0a1700）复制到 RAM (LS5：0x00ac00)、测量了处理时间：

1.预编程指令：读取 16 位数据 8 次
2. MOVL 指令:读取 32 位数据 4 次

***测量结果:**
-预置：170ns
- MOVL: 70ns
-撤销执行顺序时结果相同

**测试代码:**
    MOVW  DP、#_GpioDataRegs

;将闪存复制到 RAM（字* 8 ）
    MOVL  XAR7、#0x0a1700        ;来源   （闪存扇区 H）
    MOVL  XAR4、#0x00ac00        ;目标 (LS5 RAM)
     
    或   μ@ GpioDataRegs+2、#0x2000  ；GPIO13=高电平
     
    RPT  #7.
||   PREAD *XAR4++、*XAR7
     
    或   2 σ@ GpioDataRegs+4、#0x2000  ；GPIO13=低电平
     
    NOP
     
;将闪存复制到 RAM（双字* 4）
    MOVL  XAR7、#0x0a1700        ;来源   （闪存扇区 H）
    MOVL  XAR4、#0x00ac00        ;目标 (LS5 RAM)
     
    或   μ@ GpioDataRegs+2、#0x2000  ；GPIO13=高电平
     
L1：  MOVL  ACC、*XAR7++
    MOVL  *XAR4++、符合
L2：  MOVL  ACC、*XAR7++
    MOVL  *XAR4++、符合
L3：  MOVL  ACC、*XAR7++
    MOVL  *XAR4++、符合
L4：  MOVL  ACC、*XAR7++
    MOVL  *XAR4++、符合
     
    或   2 σ@ GpioDataRegs+4、#0x2000  ；GPIO13=低电平

**我的假设:**
对于 MOVL 指令：第一次读取会产生总共 4 个周期的等待周期（3 个周期）、而后续读取会命中高速缓存、每个只需要 1 个周期。 总计：5ns×(4+7)= 55ns
对于预编程指令：不使用高速缓存、每次读取都会出现等待周期。 总计：5ns× 4 × 8 = 160ns

**问题:**
1.这个假设是正确的吗?
2.为什么 pread 指令不使用缓存,即使数据缓存和预取都已启用?
3.是否有任何可能,我误配置的东西或使用这些指令不正确?

任何见解都将非常感谢。

提前感谢您的帮助。