[参考译文] TMS320F28.0037万C：DCSM 및 闪存 영역 读/写 관련 질문

admin

请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/microcontrollers/c2000-microcontrollers-group/c2000/f/c2000-microcontrollers-forum/1084725/tms320f280037c-dcsm-flash-read-write

部件号：TMS320F28.0037万C

您好！！香榭丽舍大街

我的程序中有一个部分写入和擦除闪存(0x8.3万)区域中的数据。

如果按如下所示设置DCSM，

在写入闪存数据和从闪存中删除数据时发生错误。

在这方面，问题如下：

1.设置DCSM后，是否无法在闪存区域中读取/写入？

1-1。如果不可能，是否有解决方法？

请回答。

我们始终感谢您的帮助。

3 年多前

0 admin 3 年多前

TI__Guru**** 2529900 points

请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

您好，

当您通过将任何闪存扇区分配给某个区域来保护它时，不能对这些安全闪存扇区执行编程和擦除操作，除非-

使用密码匹配流解锁区域
程序/擦除代码正在从分配给与安全闪存扇区相同区域的安全RAM中运行。

希望这一点是明确的。

您也可以参阅此应用手册，其中提供了有关类似主题的详细信息。

此致，

Vivek Singh

0 admin 3 年多前

TI__Guru**** 2529900 points

请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

感谢您的回答。

"程序/擦除代码正在从分配给与安全闪存扇区相同区域的安全RAM中运行。"

对于以上内容，如果所有闪存/RAM分配给区域1，编程/擦除是否工作？

此致。

0 admin 3 年多前

TI__Guru**** 2529900 points

请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

是的，可以。

此致，

Vivek Singh

0 admin 3 年多前

TI__Guru**** 2529900 points

请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

感谢您的回答

所有闪存扇区/RAM都分配给Zone2。

CMD文件位于BSS，数据，系统和const的RAMGS中。

文本分配给RAMLS。

也许我对CMD文件中的设置做了一些错误？

我设置的CMD文件如下所示。

MEMORY
{
   BEGIN           	: origin = 0x00080000, length = 0x00000002
   BOOT_RSVD		: origin = 0x00000002, length = 0x00000126

   BOOTROM          : origin = 0x003F8000, length = 0x00007FC0
   SECURE_ROM       : origin = 0x003F2000, length = 0x00006000

   RESET            : origin = 0x003FFFC0, length = 0x00000002

   RAMM0          	  : origin = 0x00000128, length = 0x000002D8	/* stack */
   RAMM1        	  : origin = 0x00000400, length = 0x00000380	/* on-chip RAM block M1 */
   BOOT_RSVD_SYSBIOS  : origin = 0x00000780, length = 0x00000080
  
   RAMLS0_1         : origin = 0x00008000, length = 0x00001000	  
   RAMLS2_7         : origin = 0x00009000, length = 0x00003000    

   RAMGS0_2         : origin = 0x0000C000, length = 0x00003000    
   RAMGS3           : origin = 0x0000F000, length = 0x00001000

   /* Flash sectors */
   /* BANK 0 */
   FLASHB0_BOOTLOADER_VER : origin = 0x080010, length = 0x000040  /* BANK0 on-chip Flash sector0 */
   FLASHB0_BOOTLOADER     : origin = 0x080050, length = 0x002EA0  /* BANK0 on-chip Flash sector0~2 */
   FLASHB0_APP_RESET_VEC  : origin = 0x083010, length = 0x000008  /* BANK0 on-chip Flash sector3 */
   FLASHB0_APP_SIGN       : origin = 0x083018, length = 0x000008  /* BANK0 on-chip Flash sector3 */
   FLASHB0_APP_VER        : origin = 0x083020, length = 0x000050  /* BANK0 on-chip Flash sector3 */
   FLASHB0_APP            : origin = 0x083070, length = 0x00AF90  /* BANK0 on-chip Flash sector3~13 */
   FLASHB0_APP_MTR_DATA   : origin = 0x08E000, length = 0x001000  /* BANK0 on-chip Flash sector14 */
   FLASHB0_APP_EEP_DATA   : origin = 0x08F000, length = 0x001000  /* BANK0 on-chip Flash sector15 */


   /* BANK 1 */
   FLASH_BANK1_SEC0  : origin = 0x090000, length = 0x001000
   FLASH_BANK1_SEC1  : origin = 0x091000, length = 0x001000
   FLASH_BANK1_SEC2  : origin = 0x092000, length = 0x001000
   FLASH_BANK1_SEC3  : origin = 0x093000, length = 0x001000
   FLASH_BANK1_SEC4  : origin = 0x094000, length = 0x001000
   FLASH_BANK1_SEC5  : origin = 0x095000, length = 0x001000
   FLASH_BANK1_SEC6  : origin = 0x096000, length = 0x001000
   FLASH_BANK1_SEC7  : origin = 0x097000, length = 0x001000
   FLASH_BANK1_SEC8  : origin = 0x098000, length = 0x001000
   FLASH_BANK1_SEC9  : origin = 0x099000, length = 0x001000
   FLASH_BANK1_SEC10 : origin = 0x09A000, length = 0x001000
   FLASH_BANK1_SEC11 : origin = 0x09B000, length = 0x001000
   FLASH_BANK1_SEC12 : origin = 0x09C000, length = 0x001000
   FLASH_BANK1_SEC13 : origin = 0x09D000, length = 0x001000
   FLASH_BANK1_SEC14 : origin = 0x09E000, length = 0x001000
   FLASH_BANK1_SEC15 : origin = 0x09F000, length = 0x001000
}


SECTIONS
{
   codestart        : > BEGIN, ALIGN(8)
   .text            : > FLASHB0_BOOTLOADER,  ALIGN(8)
   .cinit           : > FLASHB0_BOOTLOADER,  ALIGN(8)
   .switch          : > FLASHB0_BOOTLOADER,  ALIGN(8)
   .reset           : > RESET,                  TYPE = DSECT /* not used, */

   .stack           : > RAMM0

   .init_array      : > FLASHB0_BOOTLOADER,  ALIGN(8)
   .bss             : > RAMGS0_2
   .bss:output      : > RAMGS0_2
   .bss:cio         : > RAMGS0_2
   .data            : > RAMGS0_2
   .sysmem          : > RAMGS0_2
   .const           : > FLASHB0_BOOTLOADER,  ALIGN(8)

   app_version 		: > FLASHB0_APP_VER
   app_sign 		: > FLASHB0_APP_SIGN
   boot_version     : > FLASHB0_BOOTLOADER_VER
   est_data			: > RAMGS0_2

   /*  Allocate IQ math areas: */
   IQmath           : > FLASHB0_BOOTLOADER,  ALIGN(8)
   IQmathTables     : > FLASHB0_BOOTLOADER,	 ALIGN(8)

   GROUP
   {
       .TI.ramfunc
       { -l FAPI_F28003x_EABI_v1.58.00.lib}
   } LOAD = FLASHB0_BOOTLOADER
   RUN = RAMLS2_7,
   LOAD_START(RamfuncsLoadStart),
   LOAD_SIZE(RamfuncsLoadSize),
   LOAD_END(RamfuncsLoadEnd),
   RUN_START(RamfuncsRunStart),
   RUN_SIZE(RamfuncsRunSize),
   RUN_END(RamfuncsRunEnd),
   ALIGN(8)

}

SECTIONS
{
	user_data 		      : > RAMM1
	sys_data     	      : > RAMM1
	ctrl_data		      : > RAMGS0_2
	foc_data 		      : > RAMGS0_2
	motor_data		      : > RAMGS0_2
}

SECTIONS
{
   datalog_data	          : > RAMGS3
   graph_data		  	  : > RAMGS3
}
/*
//===========================================================================
// End of file.
//===========================================================================
*/

我可以检查什么？？

此致。

0 admin 3 年多前

TI__Guru**** 2529900 points

请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

我不知道你正面临什么问题以及你的业务流程是什么。您如何对设备进行编程？请提供更多详细信息，说明您尝试实现的目标以及您面临的问题。

此致，

Vivek Singh

0 admin 3 年多前

TI__Guru**** 2529900 points

请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

关于这一问题的资料不足。
很抱歉这个。

面临的问题如下：

1.您要实施的内容
-我想防止使用DCSM对闪存/RAM区域进行不必要的访问。
-我想在使用DCSM设置的应用程序操作期间对闪存区域执行读/写操作。

2.进展情况
－以下设置是通过DCSM进行的。
闪存和RAM都分配给ZONE2。
Z2_GRABCHECT1R = 0x55.5555万
Z2_GRABCHECT2R = 0x55.5555万
Z2_GRABCHECT3R = 0x55.5555万
Z2_GRABRAM1R = 0x0.5555万

密码是通过设置CSMKEY设置的。

-我修改了CMD文件，并按如下所示进行设置。
将文本分配给RAMLS
将BSS，数据，系统，const分配给RAMGS

3.测试结果
-设置DCSM之前
在应用程序运行期间，可在闪存区域进行读/写操作。

-设置DCSM后
加电复位后，应用程序操作期间，闪存区域中不能读/写。
如果在调试设置期间模拟和驱动CSMPSWD，则可以进行读/写。
(GPIO 24低，GPIO 32高，等待模式)

我想用DCSM设置一个程序来读取/写入闪存区域。
我查看了您之前发送给我的用户指南。
说明分配给同一区域的RAM/闪存可以读/写。
我认为通过将其分配给ZONE2，它将在闪存区域中读/写，
测试结果没有。
我不知道我做错了什么，所以我要求智慧。

此致。

0 admin 3 年多前

TI__Guru**** 2529900 points

请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

是否可以重新解释我所面临的问题？？

此致

0 admin 3 年多前

TI__Guru**** 2529900 points

请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

您好，

在2000在加2000加电108.4725万电重28.0037万重置401.7843万置后401.7843万后的应用程序操作期间，不能在闪存区域中进行读/写。[/quote-use.[/quote
一旦将安全设置为“开 ”，则可以通过从同一区域运行的代码执行读/写操作。您需要检查的一件事是，您已正确配置FLSEM寄存器，将SEM位字段值更改为'10'，以便Zone2代码可以访问闪存控制寄存器。如果未完成HIS，则编程将不起作用。

此致，

Vivek Singh

0 admin 3 年多前

TI__Guru**** 2529900 points

请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

你好 

此问题已解决。
设置FLSEM后，它将根据需要工作。

此致

C2000™︎ 微控制器（参考译文帖）

C2000™︎ 微控制器（参考译文帖）(Read Only)

[参考译文] TMS320F28.0037万C：DCSM 및 闪存 영역 读/写 관련 질문