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[参考译文] F28M35H52C：OTP存储器编程问题

admin
Guru**** 2539500 points


请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/microcontrollers/c2000-microcontrollers-group/c2000/f/c2000-microcontrollers-forum/615491/f28m35h52c-otp-memory-programming-problem

部件号：F28M35H52C

您好，

我们正在测试OTP存储器编程，存在以下问题。

我们希望将OTP的_EMAC_Address0编程为一位时间，以验证是否可以按以下所述完成： http://processors.wiki.ti.com/index.php/C2000_Flash_Common_Issues/FAQs#OTP_.28one_time_programmable.29_Memory。

使用的命令是

DSLite flash -a OTPProgram -c user_files/configs/f28m35h52c1.ccXML -l user_files/settings/generated．ufsettings

其中generated．ufsettings contains：

｛"Texas Instruments XDS100v2 USB调试探头/Cortex_M3_0"：｛"FlashM3EMACID1"："FFFFFFFE"，"FlashVerboseMode"：TRUE｝，"Texas Instruments XDS100v2 USB调试探头/C28xx_0"：｛｝｝

这很顺利，我们可以用正确的值读回内存(位0 = 0)

然后，我们将generated．ufsettings修改为：

｛"Texas Instruments XDS100v2 USB调试探头/Cortex_M3_0"：｛"FlashM3EMACID1"："FFFFFFFC"，"FlashVerboseMode"：TRUE｝，"Texas Instruments XDS100v2 USB调试探头/C28xx_0"：｛｝｝

要编程下一位，但出现以下错误：

错误：Cortex_M3_0：闪存编程期间出错(闪存算法返回错误代码)。 操作已取消。
错误：Cortex_M3_0：请确保您正在编程的内存位置尚未编程。
错误：Cortex_M3_0：请确保您正在编程的内存位置尚未编程。
失败：未知错误

尝试写入FlashM3EMACID2时出现相同错误(OTP_EMAC_Address1)。

为什么会发生这种情况？ 我们的DSlite命令是否有问题？

感谢你的帮助。

RIL

  • 0
    TI__Guru**** 2539500 points
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。
    您好，

    在该设备上，闪存和OTP存储器空间受ECC保护。 在OTP中进行编程时，相应的ECC位置也会进行编程。 如果您尝试用不同的值重新编程相同的位置，它将尝试为ECC编程新值，这可能不会发生，因为该位置的某些位已经编程为'0'，OTP是“一次性可编程”的。

    基本上，您不能对OTP位置进行重新编程。 您需要立即设定完整值。

    希望这一点是明确的。

    此致，

    Vivek Singh
  • 0
    TI__Guru**** 2539500 points
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    感谢您的快速回答。

    对我来说，这似乎还是有点模糊。
    您能澄清一下“可能不会发生，因为有些位”吗？
    这是否特定于此特定设备？
    为什么OP中的链接在此不适用？

    例如，如果我在FlashM3EMACID1中写入一个位，那么即使我没有触摸FlashM3EMACID2，FlashM3EMACID1和FlashM3EMACID2也不能再写入，这是否正常？？


    再次感谢。

    RIL

    编辑：

    我在另一篇论坛帖子上读到，这两个OTP区域是用户OTP位置，它们'是'一个共同的ECC，这意味着我们必须同时对整个区域进行编程。 是这样吗？

    参考邮递：e2e.ti.com/.../332410

  • 0
    TI__Guru**** 2539500 points
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。
    RIL，

    在对ECC编程时，应该对共享64位对齐内存的任何闪存或OTP字段进行一次编程。 用户在使用OTP字段时应更加小心，因为它们不能被擦除。

    谢谢，此致，
    Vamsi
  • 0
    TI__Guru**** 2539500 points
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    [引述]我在另一篇论坛帖子上读到，这两个OTP区域是用户OTP位置，它们'是'一个共同的ECC，这意味着我们必须同时对整个区域进行编程。 是这样吗？ [/引述]

    正确。 ECC的计算方法为64位。

    Vivek Singh

  • 0
    TI__Guru**** 2539500 points
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。
    感谢您的澄清。

    RIL