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[参考译文] TMS320F28377S：F28377S：ADC 噪声和闪存执行

admin
Guru**** 1826200 points
Other Parts Discussed in Thread: TMS320F28377S, OPA320, OPA350
请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/microcontrollers/c2000-microcontrollers-group/c2000/f/c2000-microcontrollers-forum/1130817/tms320f28377s-f28377s-adc-noise-and-flash-execution

器件型号：TMS320F28377S
主题中讨论的其他器件： OPA320、 OPA350

您好！

我使用具有2.5V 基准电压和两种不同 CCS 项目配置的 F28377S 的差分16位 ADC：RAM (仅 RAM)和闪存(存储在闪存中、信号处理从 RAM 执行)。

有趣的观察：

仅 RAM 版本显示了更好的噪声性能(大约100uV RMS、8 LSB 峰值/峰值)、闪存版本更差(大约200uV RMS、16 LSBt 峰值/峰值)。

在闪存版本中 、闪存中仍然执行一些函数。 它是否会影响 ADC 性能？

谢谢、
Edwin

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    TI__Guru**** 1826200 points
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    Edwin、

    我怀疑更多的情况是、当 ADC 采样与高 CPU 活动同时发生事件时、也许闪存/RAM 混合代码在时间上与仅 RAM 代码不同放置这些函数。  从闪存执行的代码的运行速度将比仅 RAM 的代码慢、因此时序将有所不同。

    作为一个实验、您可以插入一个 asm (" NOP")；在 RAM 代码的开头、看看及时将其移出是否对噪声曲线有任何影响？

    最棒的
    Matthew

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    TI__Guru**** 1826200 points
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    谢谢！ 我尝试过、但没有效果。 仅供参考：几乎完整的代码位于 RAM 中、只有一些函数保留在闪存中。 CPU 负载约为70%。

    我将尝试移动完整的(！) 编程到 RAM。 因此 c_int00、main 保持闪存、但".text"将位于 RAM 中。 我将开始一个新的线程。

    此致、
    Edwin

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    TI__Guru**** 1826200 points
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    Edwin、

    我还会询问其他人的评论、我实际上希望基于 RAM 的版本由于其全速运行、在 CPU 活动方面可能会更加嘈杂。

    替代理论是、由于闪存使用3.3V 电源轨、因此该节点处存在一些潜在的噪声耦合。  您是在 ADC 读取期间主动对闪存进行编程、还是只是执行代码？

    最棒的

    Matthew

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    TI__Guru**** 1826200 points
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    感谢您的帮助... 并了解闪存执行可能会使 ADC 性能变差的信息。

    没有闪存写入、只是一些执行时间短的函数。 模拟设计做得很好、使用铁氧体磁珠和电容器进行足够的去耦。

    我决定最好的方法是将整个程序移入 RAM 中。 因此、我开始了一个新的主题：
    TMS320F28377S：F28377S：将".text"段移动到 RAM

    此致、
    Edwin

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    TI__Guru**** 1826200 points
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    您好、Edwin、

    为了最大限度地提高 ADC 性能、我们建议在信号输入端以及 VREFHI 引脚上使用高带宽运算放大器缓冲器。 OPA320和 OPA350是 VREFHI 的理想选择；OPA2211AID 也是驱动差分输入对的绝佳选择。 当然 、这也取决于您的系统要求。

    如需更多信息、请参阅我们的 ADC 输入电路评估应用报告。

    也可能 需要考虑布局因素。  对于噪声敏感型16位输入、我建议使用最靠近芯片角(并且离任何接地/电源引脚最远)的 ADC 引脚。

    此致、
    Ibukun