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[参考译文] TMS320F280025：扇区和整个闪存的写入/擦除周期

admin
Guru**** 2572895 points


请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/microcontrollers/c2000-microcontrollers-group/c2000/f/c2000-microcontrollers-forum/1052359/tms320f280025-write-erase-cycles-for-sector-and-entire-flash

器件型号：TMS320F280025

各位专家、您好！  

如数据表中所示、扇区和整个闪存的最大写入/擦除周期是不同的。 对于 F28002x、每个扇区的写入/擦除周期为20000、但是整个闪存的数量为100000。 为什么？

同时、数据表中给出的数据保持持续时间是85度结温下的参数。 我们是否在最大结温下有一个参数。  

感谢你的帮助。  

BR、  

将会

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    TI__Guru**** 2572895 points
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    你好、

    闪存写入/擦除操作需要由闪存电荷泵提供的 HV。 闪存泵上的 HV 应力只能支持高达100K 的写入/擦除周期、因此整个闪存写入/擦除限制为100K。

    扇区写入/擦除受位单元电荷隧道的限制、该隧道只能在高达20K 周期的时间内生效。 因此扇区限制为20K。

    对于高达125C 的 Tj、数据保留限制将为10年、但另请参阅 此 报告、其中提供了有关如何计算"嵌入式处理器的使用寿命"的详细信息。

    此致、

    Nirav

  • 0
    TI__Guru**** 2572895 points
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    Nirav、您好！  

    非常感谢您的指导。  

    BR、  

    将会