[参考译文] TMS320F280048C-Q1：从 RAM 而不是闪存运行完整的应用代码

admin

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https://e2e.ti.com/support/microcontrollers/c2000-microcontrollers-group/c2000/f/c2000-microcontrollers-forum/1044899/tms320f280048c-q1-running-the-full-application-code-from-ram-instead-of-flash

器件型号：TMS320F280048C-Q1
主题中讨论的其他器件：C2000WARE

您好！

这是支持案例">e2e.ti.com/.../3851239的延续。根据案例的结束、我们能够刷写器件。不过、需要进一步注意的是、RAM 和闪存执行时间不同(GPIO 切换指示的总活动时间)。闪存需要更多时间、循环出错。如何在加电后将整个代码从闪存复制到 RAM 并从 RAM 开始执行以避免任何时序不确定性。如果需要、我将包含 RAM 链接器文件内容。默认 RAM 链接器文件修改如下。

存储器
｛
第0页：

开始：origin = 0x000000，length = 0x000002

//RAMM0：origin = 0x0000F5、length = 0x00030B // Default
RAMM0：origin = 0x0000F5，length = 0x00060B // Modified

RAMLS：origin = 0x008000、length = 0x003000 //已添加

//RAMLS0：origin = 0x008000、length = 0x000800   //已删除
//RAMLS1：origin = 0x008800，length = 0x000800    //已删除
//RAMLS2：origin = 0x009000，length = 0x000800    //已删除
//RAMLS3：origin = 0x009800，length = 0x000800    //已删除
//RAMLS4：origin = 0x00A000，length = 0x000800    //已删除

复位：origin = 0x3FFFC0，length = 0x000002

第1页：

BOOT_RSVD：origin = 0x000002，length = 0x0000F3

//RAMM1：origin = 0x000400，length = 0x000400 // 默认值
RAMM1：origin = 0x000700、length = 0x000200 //已修改

//RAMLS5：origin = 0x00A800，length = 0x000800 // 默认值
//RAMLS6：origin = 0x00B000，length = 0x000800 // 默认值

RAMLS5：origin = 0x00A800，length = 0x000B00 // Modified
RAMLS6：origin = 0x00B300，length = 0x000500 // Modified
RAMLS7：origin = 0x00B800，length = 0x000800

RAMGS0：origin = 0x00C000、length = 0x002000
RAMGS1：origin = 0x00E000、length = 0x002000
RAMGS2：origin = 0x010000、length = 0x002000
RAMGS3：origin = 0x012000，length = 0x002000
｝

.stack：>RAMM1，PAGE = 1.
.ebss：> RAMLS5，PAGE = 1.
econst：> RAMLS5，page = 1.
.esysmem：> RAMLS5，page = 1.

RAMS0：>RAMGS0，PAGE = 1
ramgs1：>RAMGS1，page = 1.
｝

谢谢、此致

Karthik R

2 年多前

0 admin 2 年多前

TI__Guru**** 670100 points

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您好、Karthik。

您将需要使用闪存链接器命令文件。您将在链接器命令文件中看到以下行、用于从闪存将代码加载到 RAM。

#if defined (_TI_EABI)
.TI.ramfunc：load = flash_BANK0_SEC1，
运行= RAMLS0、
Load_start (RamfuncsLoadStart)、
load_size (RamfuncsLoadSize)、
Load_End (RamfuncsLoadEnd)、
RUN_START (RamfuncsRunStart)、
run_size (RamfuncsRunSize)、
RUN_END (RamfuncsRunEnd)、
PAGE = 0、ALIGN (4)
其他
.TI.ramfunc：load = flash_BANK0_SEC1，
运行= RAMLS0、
load_start (_RamfuncsLoadStart)、
load_size (_RamfuncsLoadSize)、
load_end (_RamfuncsLoadEnd)、
run_start (_RamfuncsRunStart)、
run_size (_RamfuncsRunSize)、
run_end (_RamfuncsRunEnd)、
PAGE = 0、ALIGN (4)
#endif

然后、特定函数或所有函数都可以放置在 RAM 中。请参阅以下编译器优化指南、并在文档中查找"ramfunc"以了解这两个选项。

https://www.ti.com/lit/spru514

谢谢、

Ashwini

0 admin 2 年多前

TI__Guru**** 670100 points

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您好、Aswini、

感谢您的回复、很抱歉因为假期而迟到了回复。我简要介绍了编译器用户指南。请查看以下疑问。

1) 1)在上述邮件中、#if 和#else 条件下的说明是相同的 ryt。那么为什么引入#if /#else 条件呢？

2) 2)我已在编译器标志中添加了-ramfunc=on、并尝试编译、但它返回"代码不能放入存储器...该段包含一个需要无法为此段生成的 trampoline 的调用站点..." 指向".TI.ramfunc：load = flash_BANK0_SEC1、
运行= RAMLS0、……”

我曾询问过从 RAM 操作调试时的类似错误(https://e2e.ti.com/support/microcontrollers/c2000-microcontrollers-group/c2000/f/c2000-microcontrollers-forum/979405/launchxl-f280049c-memory-linking-error)。它没有完全结束，但提出了一种变通办法，我在下文中适用。

3) 3)所以我已经按照如下方式修改了闪存链接器文件

存储器
｛
第0页：

开始：origin = 0x000000，length = 0x000002

RAMM0：origin = 0x0000F5、length = 0x00030B

RAMLS：origin = 0x008000、length = 0x003000

…

其他
.TI.ramfunc：load = flash_BANK0_SEC1，
运行= RAMLS、
load_start (_RamfuncsLoadStart)、

现在、它的抛掷错误提到的代码不能放入"FLASH_BANK0_SEC1"中

请建议如何继续。

谢谢、此致

Karthik R

0 admin 2 年多前

TI__Guru**** 670100 points

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您好、Karthik、

[引用 userid="79969" URL"~/support/microcontrollers/c2000-microcontrollers-group/c2000/f/c2000-microcontrollers-forum/1044899/tms320f280048c-q1-running-the-full-application-code-from-ram-instead-of-flash/3870952 #3870952"]在上面的邮件中，#if 和#else 条件下的指令是相同的 ryt。那么为什么引入#if /#else 条件？[/quot]

EABI 和 COFF 格式的符号名称稍有不同。 if 会关联 EABI 使用的符号、而#else 会关联 COFF 使用的以下划线开头的符号名称。

[引用 userid="79969" URL"~/support/microcontrollers/c2000-microcontrollers-group/c2000/f/c2000-microcontrollers-forum/1044899/tms320f280048c-q1-running-the-full-application-code-from-ram-instead-of-flash/3870952 #3870952"]现在，它的抛出错误提到的代码不能放入"flash_BANK0_SEC1"

在错误中、输出将指示不适合的代码大小。这可能大于 FLASH_BANK0_SEC1大小、因此会产生错误。您将需要分配更多闪存。

此外、还有一些建议：

请确保代码是使用优化-O2的编译器、至少是为了获得良好的性能。

2.在系统设计方面，进行分析并检查哪些代码片段对时序至关重要，并有选择地将这些代码加载到 RAM 而不是整个应用程序中，将会有所帮助。随着应用的发展、它可能并不完全适合100KB 的 RAM 与256KB 的闪存。

谢谢、

Ashwini

0 admin 2 年多前

TI__Guru**** 670100 points

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您好、Aswini、

感谢您的回答。请参阅上一封邮件中提到的测试用例报告的错误消息。

1) 1)根据编译器用户指南中的给定、我添加了"--ramfunc=on"标志、以将编译器标志集中的所有函数复制到 ramfunc。

但在编译默认闪存链接器文件时抛出错误。

"./28004x_general_flash_lnk.cmd"、第116行：错误#10099-D：程序不能放入可用存储器、或者该段包含需要无法为此段生成的 trampoline 的调用站点。 ".TI.ramfunc"大小为0x1a1epage 0的运行定位/阻断失败。可用存储器范围：
RAMLS0大小：0x800未使用：0x800最大孔：0x800
"./28004x_general_flash_lnk.cmd"、第116行：错误#10099-D：程序不能放入可用存储器、或者该段包含需要无法为此段生成的 trampoline 的调用站点。 ".TI.ramfunc"大小为0x1a1epage 0的加载定位/阻断失败。可用存储器范围：
FLASH_BANK0_SEC1大小：0x1000未使用：0x1000最大孔：0x1000

我们之前在从 RAM 进行调试时观察到类似的错误。我们修改了 RAM 链接器文件管理器、然后从 RAM 进行调试成功。因此、我们在闪存链接器文件中进行了如下类似修改。

2)所以在闪存链接器文件中、我已经更改为这个

#if defined (_TI_EABI)
init_array：> flash_BANK0_SEC1，page = 0，align (4)
.bss：> RAMLS5，page = 1.
.bss：输出：> RAMLS6，页= 1
.bss：CIO：> RAMLS，PAGE = 0
.data :> RAMLS5，page = 1.
…
其他
.pinit：> FLASH_BANK0_SEC1，PAGE = 0，ALIGN (4)
.ebss：> RAMLS5，PAGE = 1.
.esysmem：> RAMLS5，page = 1.
.cio：> RAMLS，PAGE = 0
.econst：> FLASH_BANK0_SEC4、PAGE = 0、ALIGN (4)

(笑声)

#if defined (_TI_EABI)
.TI.ramfunc：load = flash_BANK0_SEC1，
运行= RAMLS、
…
其他
.TI.ramfunc：load = flash_BANK0_SEC1，
运行= RAMLS、
…
#endif

｝

现在、它再次抛出以下错误

"./28004x_general_flash_lnk.cmd"、第113行：错误#10099-D：程序不能放入可用存储器、或者该段包含需要无法为此段生成的 trampoline 的调用站点。 ".TI.ramfunc"大小为0x1a1epage 0的加载定位/阻断失败。可用存储器范围：
FLASH_BANK0_SEC1大小：0x1000未使用：0xAD7最大孔：0xAD4
错误#10010：链接期间遇到错误；未构建"led_ex1_blinky.out"

3) 3)根据您在前一封邮件中提出的增加闪存的建议、对闪存链接器文件进行了以下修改。

存储器
｛
第0页：
/* begin 用于"引导至闪存"引导加载程序模式*/

开始：origin = 0x080000，length = 0x000002
RAMM0：origin = 0x0000F3，length = 0x00030D

RAMLS：origin = 0x008000、length = 0x003000

复位：origin = 0x3FFFC0，length = 0x000002

/*闪存扇区*/
/*组0 */
FLASH_BANK0_SEC0：origin = 0x080002、length = 0x000FFE //片上闪存*
FLASH_BANK0_SEC1：origin = 0x081000、length = 0x002000 //片上闪存*
//flash_BANK0_sec2：origin = 0x082000，length = 0x001000 //片上闪存*
FLASH_BANK0_SEC3：origin = 0x083000、length = 0x001000 //片上闪存*
…

/*银行1 */
FLASH_BANK1_SEC0：origin = 0x090000、length = 0x001000 //片上闪存*
.
FLASH_BANK1_SEC15：origin = 0x09F000、length = 0x000FF0 //片上闪存*

// flash_Bank1_SEC15_RSVD：origin = 0x09FFF0，length = 0x000010 //保留并不用于根据勘误咨询“Memory：pretching Beyond valid Memory”(内存：超出有效内存的预取)*/的代码

第1页：

BOOT_RSVD：origin = 0x000002，length = 0x0000F1 // M0的一部分，引导 ROM 将此用于栈*/
RAMM1：origin = 0x000400，length = 0x0003F8 //片上 RAM 块 M1 */
// RAMM1_RSVD：origin = 0x0007F8，length = 0x000008 //根据勘误咨询“Memory：Prepetching Beyond valid Memory”(内存：超出有效内存的预取)，保留并不用于代码*/

RAMLS5：origin = 0x00A800，length = 0x000800
RAMLS6：origin = 0x00B000、length = 0x000800
RAMLS7：origin = 0x00B800，length = 0x000800

RAMGS0：origin = 0x00C000、length = 0x002000
RAMGS1：origin = 0x00E000、length = 0x002000
RAMGS2：origin = 0x010000、length = 0x002000
RAMGS3：origin = 0x012000，length = 0x001FF8
// RAMGS3_RSVD：origin = 0x013FF8，length = 0x000008 //根据勘误咨询“Memory：Prepetching Beyond valid Memory”(内存：有效内存之外的预取)来保留代码且不用于代码*/
｝

部分
｛
codestart：> begin，page = 0，align (4)
.text：>> flash_BANK0_SEC3 | flash_BANK0_SEC5，page = 0，align (4)
//.text：>> FLASH_BANK0_SEC2 | FLASH_BANK0_SEC3 | FLASH_BANK0_SEC5、PAGE = 0、ALIGN (4)
.cinit：> FLASH_BANK0_SEC1，PAGE = 0，ALIGN (4)
.switch：> FLASH_BANK0_SEC1，PAGE = 0，ALIGN (4)
.reset：> reset，page = 0，type = DSECT //未使用，*/

.stack：>RAMM1，PAGE = 1.

#if defined (_TI_EABI)
init_array：> flash_BANK0_SEC1，page = 0，align (4)
.bss：> RAMLS5，page = 1.
.bss：输出：> RAMLS6，页= 1
.bss：CIO：> RAMLS，PAGE = 0
.data :> RAMLS5，page = 1.
.sysmem：> RAMLS5，page = 1.
/*初始化段进入闪存*/
.const：> FLASH_BANK0_SEC4、PAGE = 0、ALIGN (4)
其他
.pinit：> FLASH_BANK0_SEC1，PAGE = 0，ALIGN (4)
.ebss：> RAMLS5，PAGE = 1.
.esysmem：> RAMLS5，page = 1.
.cio：> RAMLS，PAGE = 0
.econst：> FLASH_BANK0_SEC4、PAGE = 0、ALIGN (4)
#endif

RAMS0：>RAMGS0，PAGE = 1
ramgs1：>RAMGS1，page = 1.

#if defined (_TI_EABI)
.TI.ramfunc：load = flash_BANK0_SEC1，
运行= RAMLS、
…
其他
.TI.ramfunc：load = flash_BANK0_SEC1，
运行= RAMLS、
…
#endif

｝

现在在构建或刷写过程中没有错误、但现在代码无法正常工作。没有 GPIO 输出切换。 (在进行此修改之前、我们能够以两倍的频率切换 GPIO。 GPIO 指定应用程序代码的活动时间。在从 RAM 模式进行调试时需要 x 次、在刷写默认链接器文件后需要2次)。

4) 4) 在系统设计方面、进行分析并检查哪些代码片段对时序至关重要、并选择性地将这些代码加载到 RAM 中、而不是整个应用程序中、这将非常有用。

是的、我理解、但我们的应用程序和工作场所遵循的程序仅要求从 RAM 执行。

请建议如何继续。

谢谢、此致、

Karthik R

0 admin 2 年多前

TI__Guru**** 670100 points

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您好、Karthik、

如果设置断点、GPIO 初始化位置和 GPIO 切换位置、这些断点将被执行？加载应用程序并进入 main 后、您可以设置断点和单步执行代码、以确保正确地从 RAM 复制和执行函数。

谢谢、

Ashwini

0 admin 2 年多前

TI__Guru**** 670100 points

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您好、Aswini、

在闪存模式下、我们可以将断点置于...？？很抱歉、我不知道这个。

是否没有任何实例可以简单地将 entrie 闪存内容复制到 RAM n execute Form IT...？

谢谢、此致

Karthik R

0 admin 2 年多前

TI__Guru**** 670100 points

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您好、Karthik、

是的、您可以使用硬件断点来调试闪存和 RAM 中的代码。在初始化代码中、您应该有以下行将代码复制到 RAM 中。

memcpy (&RamfuncsRunStart、&RamfuncsLoadStart、(size_t)&RamfuncsLoadSize)；

运行经过该源代码行。然后、您可以在要调试的函数处设置 HWBP、该函数具有 GPIO 切换功能。

我认为我们没有一个将整个代码复制到 RAM 的应用程序。但是、上述步骤应允许您调试该问题。

谢谢、

Ashwini

0 admin 2 年多前

TI__Guru**** 670100 points

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您好、Aswini、

感谢您提供有关此内容的信息。对我来说很新。事实上、除非条件要求、否则我不精通修改链接器和脚本的默认设置。我很困惑我们是否需要继续进行断点插入 n all。 GPIO 设置是我在 ISR 中执行的第一条指令、这种情况不会发生、这意味着存在根本错误。

我再次重复了整个过程。对于这两种模式、在编译器标志选项中添加了"--ramfunc=on"标志。

从 RAM 进行调试时、DSC 的运行方式符合预期(通过监控 GPIO)。

刷写后、现在 GPIO 根本不会切换。您能否看到链接器文件有什么问题？我认为这应该给根本错误的事情注入光亮。我已包含完整的链接器文件内容。

_________________________________

RAM 链接器文件内容

_________________________________________

存储器

｛

第0页：

/* begin 用于"引导至 SARAM"引导加载程序模式*/

开始：origin = 0x000000，length = 0x000002

RAMM0：origin = 0x0000F5，length = 0x00060B

RAMLS0：origin = 0x008000、length = 0x000800

// RAMLS1：origin = 0x008800，length = 0x000800

// RAMLS2：origin = 0x009000，length = 0x000800

// RAMLS3：origin = 0x009800，length = 0x000800

// RAMLS4：origin = 0x00A000，length = 0x000800

RAMLS1234：origin = 0x008800，length = 0x002000

复位：origin = 0x3FFFC0，length = 0x000002

第1页：

BOOT_RSVD：origin = 0x000002，length = 0x0000F3 // M0的一部分，引导 ROM 将此用于栈*/

RAMM1：origin = 0x000700、length = 0x000100 //片上 RAM 块 M1 *

RAMLS5：origin = 0x00A800，length = 0x000800

RAMLS6：origin = 0x00B000、length = 0x000800

RAMLS7：origin = 0x00B800，length = 0x000800

RAMGS0：origin = 0x00C000、length = 0x002000

RAMGS1：origin = 0x00E000、length = 0x002000

RAMGS2：origin = 0x010000、length = 0x002000

RAMGS3：origin = 0x012000，length = 0x002000

｝

部分

｛

codestart：> begin，page = 0

.TI.ramfunc：> RAMLS1234 PAGE = 0

.text：>>RAMM0 | RAMLS0 | RAMLS1234，page = 0

//.TI.ramfunc：>RAMM0 page = 0

.cinit：> RAMM0，page = 0

.pinit：> RAMM0，page = 0

switch：>RAMM0，page = 0

.reset：> reset，page = 0，type = DSECT //未使用，*/

.stack：>RAMM1，PAGE = 1.

.ebss：> RAMLS5，PAGE = 1.

econst：> RAMLS5，page = 1.

.esysmem：> RAMLS5，page = 1.

RAMS0：>RAMGS0，PAGE = 1

ramgs1：>RAMGS1，page = 1.

｝

_________________________________

闪存链接器文件

_________________________________

存储器

｛

第0页：

/* begin 用于"引导至闪存"引导加载程序模式*/

开始：origin = 0x080000，length = 0x000002

RAMM0：origin = 0x0000F5，length = 0x00060B

RAMLS0：origin = 0x008000、length = 0x000800

// RAMLS1：origin = 0x008800，length = 0x000800

// RAMLS2：origin = 0x009000，length = 0x000800

// RAMLS3：origin = 0x009800，length = 0x000800

// RAMLS4：origin = 0x00A000，length = 0x000800

RAMLS1234：origin = 0x008800，length = 0x002000

复位：origin = 0x3FFFC0，length = 0x000002

/*闪存扇区*/

/*组0 */

FLASH_BANK0_SEC0：origin = 0x080002、length = 0x000FFE //片上闪存*

FLASH_BANK0_SEC1n2：origin = 0x081000、length = 0x002000 //片上闪存*

//flash_BANK0_SEC1：origin = 0x081000、length = 0x001000 //片上闪存*

//flash_BANK0_sec2：origin = 0x082000，length = 0x001000 //片上闪存*

FLASH_BANK0_SEC3：origin = 0x083000、length = 0x001000 //片上闪存*

FLASH_BANK0_SEC4：origin = 0x084000、length = 0x001000 //片上闪存*

FLASH_BANK0_SEC5：origin = 0x085000、length = 0x001000 //片上闪存*

FLASH_BANK0_SEC6：origin = 0x086000、length = 0x001000 //片上闪存*

FLASH_BANK0_SEC7：origin = 0x087000、length = 0x001000 //片上闪存*

FLASH_BANK0_SEC8：origin = 0x088000、length = 0x001000 //片上闪存*

FLASH_BANK0_SEC9：origin = 0x089000、length = 0x001000 //片上闪存*

FLASH_BANK0_SEC10：origin = 0x08A000、length = 0x001000 //片上闪存*

FLASH_BANK0_SEC11：origin = 0x08B000、length = 0x001000 //片上闪存*

FLASH_BANK0_SEC12：origin = 0x08C000、length = 0x001000 //片上闪存*

FLASH_BANK0_SEC13：origin = 0x08D000、length = 0x001000 //片上闪存*

FLASH_BANK0_SEC14：origin = 0x08E000、length = 0x001000 //片上闪存*

FLASH_BANK0_SEC15：origin = 0x08F000、length = 0x001000 //片上闪存*

/*银行1 */

FLASH_BANK1_SEC0：origin = 0x090000、length = 0x001000 //片上闪存*

FLASH_BANK1_SEC1：origin = 0x091000、length = 0x001000 //片上闪存*

FLASH_BANK1_SEC2：origin = 0x092000、length = 0x001000 //片上闪存*

FLASH_BANK1_SEC3：origin = 0x093000、length = 0x001000 //片上闪存*

FLASH_BANK1_SEC4：origin = 0x094000、length = 0x001000 //片上闪存*

FLASH_BANK1_SEC5：origin = 0x095000、length = 0x001000 //片上闪存*/

FLASH_BANK1_SEC6：origin = 0x096000、length = 0x001000 //片上闪存*

FLASH_BANK1_SEC7：origin = 0x097000、length = 0x001000 //片上闪存*

FLASH_BANK1_SEC8：origin = 0x098000、length = 0x001000 //片上闪存*

FLASH_BANK1_SEC9：origin = 0x099000、length = 0x001000 //片上闪存*

FLASH_BANK1_SEC10：origin = 0x09A000、length = 0x001000 //片上闪存*

FLASH_BANK1_SEC11：origin = 0x09B000、length = 0x001000 //片上闪存*

FLASH_BANK1_SEC12：origin = 0x09C000、length = 0x001000 //片上闪存*

FLASH_BANK1_SEC13：origin = 0x09D000、length = 0x001000 //片上闪存*

FLASH_BANK1_SEC14：origin = 0x09E000、length = 0x001000 //片上闪存*

FLASH_BANK1_SEC15：origin = 0x09F000、length = 0x001000 //片上闪存*

第1页：

BOOT_RSVD：origin = 0x000002，length = 0x0000F3 // M0的一部分，引导 ROM 将此用于栈*/

RAMM1：origin = 0x000700、length = 0x000100 //片上 RAM 块 M1 *

RAMLS5：origin = 0x00A800，length = 0x000800

RAMLS6：origin = 0x00B000、length = 0x000800

RAMLS7：origin = 0x00B800，length = 0x000800

RAMGS0：origin = 0x00C000、length = 0x002000

RAMGS1：origin = 0x00E000、length = 0x002000

RAMGS2：origin = 0x010000、length = 0x002000

RAMGS3：origin = 0x012000，length = 0x002000

｝

部分

｛

codestart：> begin，page = 0，align (4)

.text：>> flash_BANK0_SEC1n2 | flash_BANK0_SEC3，page = 0，align (4)

//.text：>> FLASH_BANK0_SEC1 | FLASH_BANK0_SEC2 | FLASH_BANK0_SEC3，PAGE = 0，ALIGN (4)

.cinit：> FLASH_BANK0_SEC1n2，PAGE = 0，ALIGN (4)

.pinit：> FLASH_BANK0_SEC1n2，PAGE = 0，ALIGN (4)

.switch：> FLASH_BANK0_SEC1n2，PAGE = 0，ALIGN (4)

.reset：> reset，page = 0，type = DSECT //未使用，*/

.stack：>RAMM1，PAGE = 1.

.ebss：> RAMLS5，PAGE = 1.

.esysmem：> RAMLS5，page = 1.

.econst：> FLASH_BANK0_SEC4、PAGE = 0、ALIGN (4)

RAMS0：>RAMGS0，PAGE = 1

ramgs1：>RAMGS1，page = 1.

.TI.ramfunc：{}负载= FLASH_BANK0_SEC1n2,

运行= RAMLS1234、

load_start (_RamfuncsLoadStart)、

load_size (_RamfuncsLoadSize)、

load_end (_RamfuncsLoadEnd)、

run_start (_RamfuncsRunStart)、

run_size (_RamfuncsRunSize)、

run_end (_RamfuncsRunEnd)、

PAGE = 0、ALIGN (4)

｝

您能不能看到这些文件有什么问题吗

谢谢。

Karthik R

0 admin 2 年多前

TI__Guru**** 670100 points

请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

您好、Karthik、

我无法找到您需要的闪存链接器命令文件的任何问题(您的项目中不需要包含 RAM 链接器命令文件)。您还可以在 device_support 中引用 C2000Ware 中的链接器命令文件-"28004x_general_flash_lnk.cmd"

我建议您使用上述步骤进行调试、并检查所有代码是否按预期复制到 RAM、以及 ISR 是否被触发。如果 ISR 按预期触发-则 GPIO 配置可能未按预期执行。

谢谢、
Ashwini

C2000™︎ 微控制器（参考译文帖）

C2000™︎ 微控制器（参考译文帖）(Read Only)

[参考译文] TMS320F280048C-Q1：从 RAM 而不是闪存运行完整的应用代码