[参考译文] TMS320F28075：意外的 ECC 故障。

您好、Corey、

您为仿真的 EEPROM 扇区执行了多少个写入/擦除周期？  希望它在数据表规格限制中具有。

您是否在多个器件或一个器件上观察到过这种情况？

错误地址是反映您的应用程序代码空间还是反映 EEPROM 扇区？  如果它仅位于 EEPROM 区域、则可能是 ECC 编程不正确。   根据发生错误的地址、您是否检查了 ECC 是否在该地址正确编程？   

是否使用 Fapi_AutoEccGeneration 模式进行编程？ 此模式计算 ECC 并将其与数据一起编程。

除了 TRM 闪存章节的 SECDED 部分、我们没有其他图表。  如果您有任何具体问题、我们可以帮助回答这些问题并相应地增强 TRM。

以下是几个可帮助调试的常见问题解答：

C2000器件的闪存 API 使用常见问题解答：   https://e2e.ti.com/support/microcontrollers/c2000/f/171/t/951668 

C2000器件中闪存 ECC 用法的常见问题解答 ：  https://e2e.ti.com/support/microcontrollers/c2000/f/171/t/951658 

2.不，我们没有。

ECC 编程不正确。  因此，我提出了上述问题。   

谢谢、此致、
Vamsi

Vamsi、

感谢您的快速回复。

我 在数据表中看到、闪存的规格最大为20、000个擦除周期。  我们在测试中不可能超过此值。  您是否有最小值和标准值的近似值？

这种情况在多个器件上发生、但非常罕见(但我不确定百分比)。   

我们尚未检查具体地址。  这是一个很好的建议。  我将询问首席开发人员如何执行此操作。

执行 EEPROM 写入时使用 Fapi_AutoEccGeneration 模式。   

我应该补充 的是、这些故障在运行期间是随机发生的-它们不会在启动时或在应用程序执行的特定点立即发生。   

Corey、

您使用多少个扇区进行 EEPROM 仿真？   

如果在多个器件上发生这种情况、我很确定这可能是您的软件问题。

请检查地址并从此处进行调试。

随机的原因可能是：它取决于应用程序何时读取错误编程的位置-它取决于应用程序的输入条件。

谢谢、此致、

Vamsi

您好、Vamsi、

我们使用三个扇区进行 EEPROM 仿真(包括扇区 C - E)。 该范围的任一侧都有空扇区、用于防止应用程序或其他数据损坏。

您好、Vamsi、

好的、感谢您的确认。  我们有一种解决办法，我们希望它能解决这个问题。  由于我们在测试中的时间点、我们将无法确认触发问题的地址已存在一段时间、但我会将您的回答标记为解决此问题以解决问题、因为我认为您的建议是正确的 下一步。