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[参考译文] TMS320F28027F：如何为我的驱动器选择磁通门传感器或霍尔效应传感器。

admin
Guru**** 2750955 points
请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/microcontrollers/c2000-microcontrollers-group/c2000/f/c2000-microcontrollers-forum/1009526/tms320f28027f-how-to-choose-fluxgate-sensor-or-hall-effect-sensor-for-my-drive

器件型号：TMS320F28027F

大家好，

在 TI 工业伺服驱动套件(TMDSIDDK_v1.0)中，我们有 6A 磁通门 LEM 传感器，而桥臂分流电阻器传感器的计算结果为10A？

这会让我感到困惑，所以这里的问题就是如何为 IGBT 模块选择合适的传感器。

假设我们有75A 1200V IPM (150A 脉冲集电极电流)，我们想为它选择合适的传感器，请解释如何操作，

谢谢。

Dave。    

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    TI__Guru**** 2750955 points
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    IDDK 是一个通用平台、用于展示各种电流感应方法。 单独查看它们、不必同时使用它们。

    如果您的应用需要感应75A 峰值、我会考虑使用150A 传感器来提供两倍的裕度。 当然、分流电阻器不是一个选项、因为它也会导致过热和相关误差。 安全问题和精度问题。

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    TI__Guru**** 2750955 points
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    亲爱的 Ramesh、谢谢

    [引用 userid="84024" URL"~/support/microcontrollers/c2000-microcontrollers-group/c2000/f/c2000-microcontrollers-forum/1009526/tms320f28027f-how-to-choose-fluxgate-sensor-or-hall-effect-sensor-for-my-drive/3731508 #3731508"]我会考虑使用150A 传感器来提供两倍的裕度[/quot]

    根据 您说过的、TI 应该对20A 模块使用40A 磁通门、现在他们使用了6A LEM 传感器！！？

    请您解释一下吗？
    在一些用于150A 电源模块的 VFD 中，它们使用100A 磁通门传感器， 这使我感到困惑

    感谢您的关注

    Dave。   

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    TI__Guru**** 2750955 points
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    该模块可能是20A、但我们的应用不需要高电流感应、6A 就足够了。