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[参考译文] F28M35H52C:刻录错误

Guru**** 2387830 points
Other Parts Discussed in Thread: F28M35H52C, UNIFLASH, CONTROLSUITE
请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/microcontrollers/c2000-microcontrollers-group/c2000/f/c2000-microcontrollers-forum/995123/f28m35h52c-burn-an-error

器件型号:F28M35H52C
主题中讨论的其他器件: UNIFLASH、controlSUITE

你(们)好

F28M35H52C 在刻录中、错误率很高、200/2000、M3可以刷入、C28完全错误、

原因是什么? 这是一个大规模生产项目。以前是偶然的刻录错误、

这一次比例很高、不同烧录设备的错误也相同。

谢谢!

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    Neal、

    器件中没有很长时间的变化。  这不应是器件的问题。

    在发现这些故障之前、您的定制板中是否有任何变化?

    您使用的是哪种闪存编程工具?  您是否正在使用自定义工具?  这不是闪存编程本身的问题。

    请看一下: https://e2e.ti.com/support/microcontrollers/c2000/f/c2000-microcontrollers-forum/749085/launchxl-f28377s-error-flashing-the-code-using-blackhawk-usb560v2-system-trace-emulator-and-spectrum-digital-xds200-usb-emulator 

    谢谢、此致、

    Vamsi

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    Neal、

    您对此有任何更新吗?

    现在是否解决了这一问题?

    谢谢、此致、
    Vamsi

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    Neal、

    我正在关闭此帖子、因为我没有听到您的声音。

    如果您将来有其他问题、可以打开新帖子。

    谢谢、此致、

    Vamsi

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    你(们)好

    新购买的 XDS200、但仍在刻录错误报告、请帮助进行分析、谢谢!

    无法运行目标 CPU:
    (错误-1156 @ 0x8050)
    器件可能在低功耗模式下运行。 是否要使其退出此模式? 选择"是"以强制器件唤醒、然后重试此操作。 选择"否"以在不唤醒器件的情况下重试此操作。
    (仿真包9.3.0.00042)

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    谢谢、Vamsi

    最近,我做了很多经验。 我从 TI store 购买了 XDS200。 使用 CCS 10.5时、也会出现错误。

    C28xx_0:错误:(错误-1044 @ 0x0)调试探针报告了错误。 确认调试探针配置和连接、重置调试探针、然后重试此操作。 (仿真包9.3.0.00042)
    C28xx_0:错误:(错误-1135 @ 0x3FFEAD)调试探针报告了错误。 确认调试探针配置和连接、重置调试探针、然后重试此操作。 (仿真包9.3.0.00042)

    C28xx_0:20次尝试后无法确定目标状态
    C28xx_0:在断开连接之前未能从目标中删除调试状态。  程序存储器中仍可能嵌入了断点运算代码。  建议您在连接之前重置仿真器、并在继续调试之前重新加载程序

    无法运行目标 CPU:
    (错误-1156 @ 0x8050)
    器件可能在低功耗模式下运行。 是否要使其退出此模式? 选择"是"以强制器件唤醒、然后重试此操作。 选择"否"以在不唤醒器件的情况下重试此操作。
    (仿真包9.3.0.00042)


    C28xx_0:断点管理器:无法删除请求的 AET 作业
    C28xx_0:在断开连接之前未能从目标中删除调试状态。  程序存储器中仍可能嵌入了断点运算代码。  建议您在连接之前重置仿真器、并在继续调试之前重新加载程序
    C28xx_0:闪存操作期间发生错误:无法写入0x00000064@数据:目标未连接

    C28xx_0:闪存操作期间发生错误:无法读取0x00004402@数据:目标未连接
    C28xx_0:闪存操作期间发生错误:无法读取0x00004406@数据:目标未连接
    C28xx_0:闪存操作期间发生错误:无法写入0x00000@程序:目标未连接
    C28xx_0:闪存操作期间发生错误:目标断开时无法启用

    C28xx_0:闪存操作期间发生错误:无法读取0x00000064@数据:目标未连接
    C28xx_0:闪存操作期间发生错误:无法写入0x00000064@数据:目标未连接
    C28xx_0:闪存操作期间发生错误:在尝试执行 pwrite_ds.alg 时无法运行目标
    C28xx_0:闪存操作超时、等待算法完成。 操作已取消。

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    Eric、

    我看到您几分钟前打开了一篇新文章。  我们可以在这里讨论您的问题。  让我用这条线与 Neal Zhu 一起工作。

    谢谢、此致、

    Vamsi

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    Neal、

    感谢您的详细信息。

    您是否正在尝试对已编程的器件进行编程?  如果是、您是否在上一次迭代中对任何 DCSM 设置进行了编程?

    您使用的是 CCS 还是 Uniflash?  您使用的版本是什么?   您是否检查了仿真器的更新并进行了安装(如果有)?  如果没有、请检查并安装。

    如何配置引导模式引脚?  能否确认是否使用 WIR 模式?  有关如何使用此模式的详细信息、请参阅 TRM 中的1.4 WIR 模式(www.ti.com/.../spruh22)。

    此外、请访问 http://www.ti.com/lit/spracf0 

    谢谢、此致、

    Vamsi

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    我尝试使用 XDS200对已编程的器件进行编程。 没关系。

    同时使用 CCS (10.5)和 Uniflash (6.0.1)。

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    Vamsi、

    我不熟悉 DCSM 设置。

    并通过实验进行验证,该误差与 F28M35H52C 密切相关、与 PCB 基板无关。

    现在有200件有缺陷的产品,这件事非常紧迫。

    谢谢。

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    Eric、

    我认为这不是器件问题。  您能回答我在下面复制的上一个问题吗?

    能否确认是否使用 WIR 模式?  有关如何使用此模式的详细信息、请参阅 TRM 中的1.4 WIR 模式(www.ti.com/.../spruh22)。   

    谢谢、此致、
    Vamsi

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    我确认了 WIR 模式的使用情况、软件没有在这个部件上运行、而是执行默认操作。

    您能否提供相关的源代码?

    谢谢。

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    Eric、

    您说您使用的是 WIR 模式吗?

    您需要什么源代码?  请澄清。

    以下是数据表中有关使用 EMU0和 EMU1引脚的信息:

    谢谢、此致、

    Vamsi

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    大家好、Vamsi

    我是说我使用的软件不使用 WIR 模式。

    使用硬件电路时、EMU0和 EMU1的引 脚都被上拉。

    我希望一些源代码(包括 WIR 模式)验证您的观点。

    谢谢

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    Eric、

    WIR 模式需要 EMU0为低电平、EMU1为高电平。

    谢谢、此致、

    Vamsi

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    Eric、

    当您说您需要源代码时、 您计划采用哪种方法、给定以下进入 WIR 模式的选项?  请确认。  我建议使用方法#1。   

    我要求我们的系统控制专家根据需要帮助您进一步处理 WIR 模式。

    谢谢、此致、
    Vamsi

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    Eric、

             通过该主题进行阅读、我不清楚具体的问题是什么。 您是否在通过 CCS 连接到器件时遇到问题? 或者您是否在对闪存进行编程时遇到问题?

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    谢谢、Hareesh

    我已通过 CCS 完成此操作、CCS 将报告上述错误。

    对闪存进行编程时没有问题。

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    那么、您现在面临的器件问题到底是什么?

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    问题是 M3可以刷入、C28完全错误。

    上图中显示了该错误。

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    很抱歉、我不明白您所说的"M3可以刷入"是什么意思。 您说可以对 M3进行编程吗? 正如 Vamsi 在前面所述、这不太可能是器件问题。 您的编程设置或编程方法中可能会发生变化的东西。 如果问题仍然存在、您可能希望向 TI 发送一些器件以进行分析。 我希望您能够使用 TI FAE。

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    感谢您在此问题上离线联系我们。

    如前所述、WIR 模式需要 EMU0为低电平、EMU1为高电平。  否则、器件将引导至闪存并开始执行无效的操作码(因为尚未对任何操作进行编程)。  这可能会导致 ITRAP 和连续复位-> 器件将不会处于干净状态、闪存编程器无法执行闪存擦除/编程操作。

    您可能不会发现每个器件都有问题的原因是: 这取决于建立目标连接的时刻。  如果在 ITRAP 发生之前或重置之后进行连接、则连接将保持稳定。  否则、无法与器件建立稳定良好的连接来执行闪存操作。 WIR 模式可防止 CPU 在闪存中执行无效的操作码。

    如果不是 WIR 模式、您能否将引导模式引脚配置为闪存引导以外的其他功能?  例如,SCI/UART 引导–这样 CPU 就不会引导到闪存,而是开始执行垃圾处理。   

    根据错误、这不是闪存编程问题。

    请注意: 我们更喜欢直接使用 E2E、而不是电子邮件。  很难通过电子邮件跟踪和关闭。  

    谢谢、此致、
    Vamsi

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    您已离线更新我们、M3引导模式已更改为 UART 引导、但问题仍然存在。

    如果选择了 UART 引导、则 M3不需要 WIR 模式。  但是、C28x 不会在此器件中查找任何引导模式 GPIO。  在引导结束时、如果未为 C28x 启用 WIR 模式、它将进入 IDLE 模式。  我们的系统控制专家可以帮助您进一步 解决这一问题。

    谢谢、此致、
    Vamsi

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    您好、Haresh、

    正如我们所讨论的、我的客户已经了解 C28x 内核为什么存在刻录问题。 现在、他已经尝试将电路中的引导模式更改为 UART、但没有更改任何代码、并且错误保持不变。

    由于我的客户对此芯片的软件知识有限、您能否提供解决问题的最简单方法?

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    Sirui、

      是否可以运送一些器件进行故障分析?

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    如果执行 FA、我将联系当地的质量同事、需要进行质量流程。

    由于需要很长时间、而且我的客户处于紧急情况、您能否提供一些在燃烧过程中使用 WIR 的说明(代码会更好)?

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    通过将 EMU0/1连接至低电平/高电平来进入 WIR。 您是否能够与我私下分享原理图?

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    您好、Hareesh

    我们的固件工程师希望了解进入 WIR 模式的时间节点。

    也就是说、何时进入 WIR 模式以及何时退出 WIR 模式?

    您会提供一些支持吗? 谢谢。

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    应在加电时进入 WIR 模式。 这是为了确保当工具(可以是 CCS 或 Uniflash)尝试连接到器件时、器件处于稳定/已知状态。 您能否在出现故障的设备上尝试 WIR 模式并查看其是否解决了问题? 对闪存进行编程后、您可以更改 EMU0/EMU1连接。

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    您好、Hareesh

    我们的固件工程师已经测试了 WIR 模式。没有更改。错误 仍然存在。

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    我建议通过硬件而不是软件使用 WIR 模式。 请尝试通过 H/W 进行 WIR 测试

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    您好、Hareesh

    通过硬件,我们也尝试了。也没有变化。

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    您能否澄清一下您对电路板进行了哪些硬件修改、以便在加电时将器件置于 WIR 中?

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    要为电路板供电、请将 EMU0置于 GND。然后为电路板供电、几秒钟后、将 EMU0置于上拉状态。执行上述步骤后、开始烧录。

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    我们的 FAE 正在设置呼叫。 让我们继续在那里进行对话。

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    您好,Hareesh

    正如会议所说,我们尝试了三种方法。

    1、WIR 模式

    在为电路板供电之前、将 EMU0置于 GND、而不连接 JTAG。

    然后为电路板供电、将 EMU0保持为0、将 EMU1保持为高电平。

    并为 XRST 提供低功耗。 接下来、烧录 MCU、再次失败。

    2、Blinky 例程  

    当使用 CCS 将 Blinky 烧录到 RAM 时、会发生错误。

    C28xx_0:文件加载程序:验证失败:地址0x08333@程序不匹配请验证目标存储器和存储器映射。
    C28xx_0:GEL:文件:C:\ti\controlSUITE\device_support\f28m35x\v220\F28M35x_examples_Control\blinki\c28\ccs\RAM\blinky_c28.out:发生数据验证错误、文件加载失败。
    3、防止 M3 运行
    刻录 C28时、请阻止 M3 运行、无变化、错误仍然存在。
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    请与 Sirui 合作、将3个器件返回 TI 进行分析。

    对于#1、您能否列出您所遵循的确切分步过程?