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[参考译文] TMS320F28384S:ePWM 跳闸区域子模块的一个问题

Guru**** 2393725 points


请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/microcontrollers/c2000-microcontrollers-group/c2000/f/c2000-microcontrollers-forum/1005096/tms320f28384s-one-question-of-epwm-trip-zone-submodule

器件型号:TMS320F28384S

您好、查姆斯、

如果我们使用跳闸区域子模块强制 ePWM1A =高电平且 ePWM1B =低电平、这两个输出之间没有死区、这是正确的吗?

使用跳闸区域功能时、我们如何处理 ePWM 死区?

此致、

Luke

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    是的、TZ 模块位于死区模块之后。

    因此、您肯定可以使用 CLB 来实现它。 100%。

    但是、如果您想使用 ePWM 实现它、可能需要谷底开关延迟功能:

    然后使用 DCEVTFILT 使另一个信号跳闸。

    NIMA

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    NIMA、

    是的、谷底开关延迟将适用于这种情况。

    我认为事件滤波器应该是另一种解决方案、例如、我们可以使用 DCAEVT2来触发 ePWMxA、并使用 DCEVTFILT (来自 DCBEVT2)通过事件滤波器窗口延迟来触发 ePWMxB、然后我们可以执行 ePWM 死区。

    你怎么看?

    此致、

    Luke

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    我认为这两个选项都是可能的。 我喜欢谷底开关延迟、看看我们是否可以延迟 DCFILTEVT 触发器。

    NIMA