主题中讨论的其他器件：TMDSCNCD28379D、 C2000WARE
您好！
首先、这不是针对指定的 TI 器件型号、但我不知道在其他地方可以提出这个主题问题、因为我似乎无法在其他地方得到答案。
我正在使用包含标准地址、数据和控制信号(WE、OE)的标准外设总线(EMIF)对电路板布局进行后续处理。 我有一个板堆叠、使参考平面比走线低0.1mm。 处理器的上升时间最短为1.5ns。 在查看各种网站上的串扰计算结果时、对于任何超过10毫米的轨迹、我最终得到了疯狂的价值。 对于0.15*Vdd ~0.495V 的芯片组、这些值远高于 V LOW、且轨道分离为1H (0.1mm)、总线的最大布线长度约为70mm。 我获得合理数字的唯一方法是使用4小时间隔。 过去、我一直在路由地址/数据总线时将布线宽度分离为两倍、从未出现任何问题。 我在 YouTube 上开始观看 Eric Bogatin、Rick Harly 和 Robert Feranec 关于受害者迹线和侵略者迹线的几个视频。 这让我重新思考我的地址和数据总线。 但是、在查看布局策略时、对于我看到或做的任何事情、轨道分离都变得不切实际。 所以、这让我需要思考。 串扰是否仅是边沿事件、即仅在信号沿轨迹向下传播时出现在上升沿和下降沿？ 我进行了很多搜索，似乎没有讨论过这一点。 因此，我将在这里提出这个问题。
串扰仅是边沿事件还是稳态耦合问题？ 我提出的原因是、传统数据总线将首先发送其地址和数据信号、然后在一段时间后提高控制信号线、无论是 WE 还是 OE。 然后在稍后的某个时间、在接收器处读取数据。 如果串扰是边沿事件、而不是稳态、那么这对于我使用的轨迹间距以及我在其他系统上看到的轨迹间距来说是有意义的。 如果串扰是稳定状态、那么在我看来、总线似乎永远不会与我使用或看到的传统轨道分离配合使用。
是否有人对此有更深入的了解？ 对于我在微控制器设计中使用的所有并行接口总线、如果 H >=0.1mm、我真的希望保持我的两倍轨道宽度分离、或者实际上只有2H。
另一件让我想起的事情是、如果我在参考平面上的相邻轨道之间创建一个分割、会发生什么情况。 主要是、这可能会破坏耦合场、因为参考平面上的轨迹区域之间不会有基准。
