[参考译文] TMS320F280049C：FOC 引导充电

admin

请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/microcontrollers/c2000-microcontrollers-group/c2000/f/c2000-microcontrollers-forum/872606/tms320f280049c-foc-boot-charge

器件型号：TMS320F280049C

通过与 F820049c EVM 进行未来的直流逆变器1/2桥接连接、似乎没有任何编写的代码 SDK InstaSpin FOC (hal.c)预充电自举电容器。不完全熟悉49C ePWM、我们希望使用 SVPWM 和测试信号链(FOC IN-04)来测试我们的定制三相直流逆变器、以验证使用情况。 BoostXL-DRV8320似乎无需通过目标命令即可处理电荷泵启动周期。为了验证客户目标、最好在下面所示的调制之间切换任何直流逆变器。

DRV-8320显示两个 Qg、我们的直流逆变器可以>50Vdc、但为什么省略1/2电桥预充电代码？ FOC 控制套件(hal.c)中是否包含1/2电桥启动预充电代码？我们为 ARM Cortex MCU 编写了出色的 Cboot 充电代码、但似乎是49C MCU 类的未知 Cboot 自举序列。 DRV-3820RS 50V 将我们的 SPM 限制在非常低的速度、仅确认 SVPWM 是否正常工作。

电荷泵信息 DRV8320RS：

9.2.1.2.1.1示例

如果 VVM 电压为8V (IVCP = 15mA)的系统使用45kHz 的最大 PWM 开关频率、则电荷泵可以支持 MOSFET、使用 Qg 小于333nC 的梯形换向、正弦换向且 Qg 小于111nC 的 MOSFET。

8.3.1.3栅极驱动器电压电源

高侧栅极驱动器的电压电源是使用由 VM 电压电源输入供电的倍压器电荷泵创建的。电荷泵使栅极驱动器能够在宽输入电源电压范围内正确偏置高侧 MOSFET 栅极相对于源极。电荷泵经过调节、可保持 VVM + 11V 的固定输出电压、并支持25mA 的平均输出电流。当 VVM 小于12V 时、电荷泵以倍压器模式运行、并在空载时生成 VVCP = 2×VVM–1.5V。持续监控电荷泵是否存在欠压事件、以防止出现欠驱动 MOSFET 情况。电荷泵在 μF 和 VCP 引脚之间需要一个 X5R 或 X7R、1 μ F、16V 陶瓷电容器作为存储电容器。此外、在 CPH 和 CPL 引脚之间需要一个 X5R 或 X7R、47nF、额定电压为 VM 的陶瓷电容器作为飞跨电容器。

6 年多前

0 admin 6 年多前

TI__Guru**** 2752855 points

请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

感谢您的建议、采用 InstaSPIN_FOC 的 motorControlSDK 是电机驱动器的参考控制算法、支持相关的 EVM 套件。为任何栅极驱动器提供所有配置代码并不容易、设计人员应根据自己的电路板更改器件配置。

如果栅极驱动器使用升压自举模式且需要充电、您可以关闭所有高侧的 PWM 并打开所有低侧的 PWM 进行充电。

0 admin 6 年多前

TI__Guru**** 2752855 points

请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

胡燕明

[引用用户="Yanming Luo "]如果栅极驱动使用升压带模式且需要充电、您可以关闭所有高侧的 PWM 并打开所有低侧的 PWM 进行充电。

预充电点通常为毫秒计时器功能循环、不能同时打开所有低侧驱动器。如果所有低侧 NFETS 被同时导通、那么电流将在1/2电桥之间流经电机相位/s 的原因。在大多数情况下、这会导致 LaunchPad 的 POR。

0 admin 6 年多前

TI__Guru**** 2752855 points

请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

我不确定将预充电器插入 hal.c 的哪个位置、并调用环路、甚至通过(IS-04)确认信号链。驱动逆变器的任何实验似乎都必须首先调用用户参数中设置的毫秒数的预充电处理程序循环。此开关情况非常适合在任何给定时间仅启用一个低侧驱动。

/*低侧 PWM 驱动器(1、3、5)启动启动充电电容器
每个半桥中的*。
＊＊＊＊ /
if (PWM_FLAG_new_precharge)
｛
开关(PWM_PRECHRG_EN)
｛
情况0：
｛
/*为 HS Cboot 充电启用低侧 MOSFET */
MAP_PWMOutputState (PWM0_BASE、PWM_OUT_1_BIT、TRUE)；
PWM_PRECHRG_EN = 1；
//UARTprintf (">>CBoot 1\n")；
中断；
｝
案例1：
｛
/*为 HS Cboot 充电启用低侧 MOSFET */
MAP_PWMOutputState (PWM0_BASE、PWM_OUT_3_BIT、TRUE)；
PWM_PRECHRG_EN = 2；
//UARTprintf (">CBoot 2\n")；
中断；
｝
案例2：
｛
/*为 HS Cboot 充电启用低侧 MOSFET */
MAP_PWMOutputState (PWM0_BASE、PWM_OUT_5_BIT、TRUE)；
PWM_PRECHRG_EN = 0；
//UARTprintf (">>CBoot 3\n")；
中断；
｝
}

0 admin 6 年多前

TI__Guru**** 2752855 points

请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

您可以在电机重新启动时调用此函数。实际上、某些基准和栅极驱动器不需要您发布的过程、因为 PWM 设置为0%占空比、或在停止电机时保持低侧开启。

C2000™︎ 微控制器（参考译文帖）

C2000™︎ 微控制器（参考译文帖）(Read Only)

[参考译文] TMS320F280049C：FOC 引导充电