工具/软件：Code Composer Studio
大家好、
我使用 TMS320F28069已经有几年了(非常高兴)！！
当我开始时、我使用了"非对称 PWM"示例、并更改了 Main.c.
现在、我的代码行号会增加、并且"程序将无法放入"错误代码库。
我知道问题出在内存分配(F2806x_FLASH_AsymmetricPWM.CMD 文件)中、
但我不知道如何修改它。
请有人可以帮助我吗？？
非常感谢
Nicola
尊敬的 Vasudha：
感谢您的回复、
我已经研究了第0页内存分配、并且我了解(也许) 从0x3F0000到 0x3F4000的内存是空的。
因此、我更改了一行(以黄色突出显示)、并且我也增加了闪存存储器分配和长度。
我是对的吗？
谢谢你
============================================================================================================================================================================================================================================================================================================================================================================================================================================================================================================================================================================================================================================================================ *
/*用于从闪存运行的用户特定链接器命令文件*/
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/*文件：F2806X_FLASH_AsymmetricPWM.CMD
/**//
/*说明：链接器命令文件、用于目标为运行的用户自定义段*
/*来自闪存。 *
/**//
/*目标：TMS320F2806x *
/**//
/*版本：1.0 */
/**//
/*------------------ *
//版权所有德州仪器
2010 */
/*------------------ *
/*修订历史记录：*/
/*------------------ *
/*日期|说明*/
/*------------------ *
/* 01/11/11|版本1.0 */
/*------------------ *
/*定义 F2806x 的内存块开始/长度
PAGE 0将用于组织程序段
第1页将用于组织数据段
注：
F2806x 上的存储器块是一致的(即相同的
物理存储器)。
不应该是相同的存储器区域
同时为 PAGE 0和 PAGE 1定义。
这样做将导致程序损坏
和/或数据。
L0存储器块被镜像-即
它可以在高内存或低内存中访问。
为简单起见、其中仅使用了一个实例
链接器文件。
可以是连续的 SARAM 存储器块或闪存扇区
组合在一起以创建更大的存储器块。
*
存储器
｛
第0页：
/*程序存储器*/
/*内存(RAM/FLASH/OTP)块可移动到第1页进行数据分配*/
BOOT_RSVD：origin = 0x000000，length = 0x000050 // M0的一部分，引导 ROM 将此用于栈*/
程序：origin = 0x008000、length = 0x000C00
OTP：origin = 0x3D7800，length = 0x000400 //片上 OTP */
FLASHH：origin = 0x3D8000，length = 0x004000 //片上闪存*/
FLASHG：origin = 0x3DC000、length = 0x004000 //片上闪存*/
FLASHF：origin = 0x3E0000，length = 0x004000 //片上闪存*/
FLASHE：origin = 0x3E4000、length = 0x004000 //片上闪存*/
FLASHD：origin = 0x3E8000、length = 0x004000 //片上闪存*/
FLASHC：origin = 0x3EC000，length = 0x004000 //片上闪存*/
// FLASHA：origin = 0x3F4000，length = 0x003F80 //片上闪存*/
FLASHA：origin = 0x3F0000，length = 0x007F80 //片上闪存*/ //我已更改此行以增加内存分配
csm_RSVD：origin = 0x3F7F80，length = 0x000076 // FLASHA 的一部分。 当 CSM 正在使用时、使用所有0x0000进行编程。 *
begin：origin = 0x3F7FF6，length = 0x000002/* FLASHA 的一部分。 用于"引导至闪存"引导加载程序模式。 *
CSM_PWL：origin = 0x3F7FF8，length = 0x000008 // FLASHA 的一部分。 FLASHA 中的 CSM 密码位置*/
FPUTABLES：origin = 0x3FD860，length = 0x0006A0 //引导 ROM 中的 FPU 表*/
IQTABLES：origin = 0x3FDF00，length = 0x000B50 //引导 ROM 中的 IQMath 表*
IQTABLES2：origin = 0x3FEA50，length = 0x00008C //引导 ROM 中的 IQMath 表*
IQTABLES3：origin = 0x3FEADC，length = 0x0000AA /*引导 ROM 中的 IQMath 表*/
BootROM：origin = 0x3FF3B0，length = 0x000C10 // Boot ROM */
复位：origin = 0x3FFFC0，length = 0x000002 //引导 ROM 的部分*/
向量：origin = 0x3FFFC2，length = 0x00003E //引导 ROM 的部分*/
第1页：
/*数据存储器*/
/*内存(RAM/FLASK/OTP)块可被移动至 PAGE0以进行程序分配*/
/*寄存器保留在第1页中*/
RAMM0：origin = 0x000050、length = 0x0003B0 //片上 RAM 块 M0 *
RAMM1：origin = 0x000400、length = 0x000400 //片上 RAM 块 M1 *
DataRAM：origin = 0x008C00，length = 0x001400
RAML4：origin = 0x00A000、length = 0x002000 //片上 RAM 块 L4 */
RAML5：origin = 0x00C000、length = 0x002000 //片上 RAM 块 L5 */
RAML6：origin = 0x00E000、length = 0x002000 //片上 RAM 块 L6 */
RAML7：origin = 0x010000、length = 0x002000 //片上 RAM 块 L7 */
RAML8：origin = 0x012000，length = 0x002000 //片上 RAM 块 L8 */
FLASHB：origin = 0x3F4000，length = 0x002000
｝
部分
｛
/*分配计划领域：*/
.cinit：> FLASHA，page = 0
.pinit：> FLASHA，page = 0
.text：> FLASHA，page = 0
.sect "SINTBL"：> FLASHA，PAGE = 0
codestart：> begin page = 0
ramfuncs：load = FLASHA，
运行=程序、
load_start (_RamfuncsLoadStart)、
load_end (_RamfuncsLoadEnd)、
run_start (_RamfuncsRunStart)、
PAGE = 0
csmpasswds：>csm_PWL page = 0
csm_rsvd：>csm_RSVD page = 0
/*分配未初始化的数据段：*/
.stack：>RAMM0，page = 1.
.ebss：> DataRAM，page = 1.
.esysmem：> DataRAM，page = 1.
/*初始化段进入闪存*/
/*要使 SDFlash 对这些内容进行编程、必须将它们分配到第0页*/
econst：> FLASHA PAGE = 0
.switch：> FLASHA PAGE = 0
/*分配 IQ 数学区域：*/
IQMath：> FLASHA page = 0 /*数学代码*/
IQmathTables：> IQTABLES page = 0，type = NoLoad /* ROM 中的数学表*/
/*如果调用 IQNexp()或 IQexp()，请取消注释以下部分
库中的函数、以便利用
引导 ROM 中的相关 IQ Math 表(这可以节省空间和引导 ROM
1个等待状态)。 如果此部分未注释、则为 IQmathTables2
将被加载到其他存储器(SARAM、闪存等)中并将采用
上行空间、但0等待状态是可能的。
*
/*
IQmathTables2：> IQTABLES2，PAGE = 0，TYPE = NOLOAD
｛
IQMath.lib (IQmathTablesRam)
｝
*
/*如果调用 IQNasin ()或 IQasin ()，请取消注释以下部分
库中的函数、以便利用
引导 ROM 中的相关 IQ Math 表(这可以节省空间和引导 ROM
1个等待状态)。 如果此部分未注释、则为 IQmathTables2
将被加载到其他存储器(SARAM、闪存等)中并将采用
上行空间、但0等待状态是可能的。
*
/*
IQmathTables3：> IQTABLES3，PAGE = 0，TYPE = NOLOAD
｛
IQMath.lib (IQmathTablesRam)
｝
*
.reset：> reset，page = 0，type = DSECT
VECTORS：> VECTORS PAGE = 0，TYPE = DSECT
｝
部分
｛
net_termins：> DataRAM、page = 1.
｝
您好！
器件中有不同的闪存扇区、它们具有预定义的大小、如下图所示。
您已经将闪存 A 和闪存 B 区域组合成一个区域、因为它们是连续区域。 但是、在链接器命令文件中不可能出现区域重叠。 因此、需要从数据页中删除闪存 B 存储器区域。 可能会有助于将更新后的存储器部分重命名为 FlashA_B、以便更好地理解。
// FLASHA：origin = 0x3F4000，length = 0x003F80 //片上闪存*// FLASHB：origin = 0x3F0000，length = 0x004000 FLASHA_B：origin = 0x3F0000，length = 0x007F80 //片上闪存* //我已更改此行以增加内存分配
谢谢
Vasudha
