[参考译文] TMS320F28069M：更改闪存中结构的内容

https://e2e.ti.com/support/microcontrollers/c2000-microcontrollers-group/c2000/f/c2000-microcontrollers-forum/959536/tms320f28069m-change-contents-of-a-struct-in-flash

为此、我使用 Motorware 18 proj_lab09a。

我正在尝试使用保存在闪存中的数据在启动时初始化结构。 我在闪存中创建了一个 const 结构、我使用包含默认参数的宏进行初始化、然后在对电路板进行编程时写入该结构。 然后、当运行程序时、闪存中结构的数据被复制到 RAM 中的结构。 如果我想保留 RAM 中的结构、我会通过 Flash_Program ()(闪存 API 函数)将数据保存到闪存中的结构。

问题：当我在向闪存写入与宏中定义的数据不同的数据后启动电路板时，程序会崩溃到 PIE_illegalIsr()。

我假设问题源于尝试使用宏初始化闪存结构的程序、但数据不匹配、无法写入闪存、因此会崩溃。

是否有办法解决这个问题？ 我希望在刷写电路板时写入默认数据、但如果需要、可以使用更改的值。

它当前看起来是这样的(不是实际代码、只是为了让您了解操作序列)：

#pragma DATA_SECTION (gUserParams_flash、"persistent_memory")；

#define USER_Params_init｛/* default params*/｝

const USER_Params_flash = USER_Params_init；USER_Params_init

；

void main (* default params*)
｛UsergUserParams=gUserParams_uFlash





(void)；US_Params&UCPlums (US_U16)；US_UCPlash_UCPh&User&UCPlums (US_Params)；US_U16)；User_UCPh&Us_Params&Us_Params (UCPlums (US_Params)