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[参考译文] TMS320F28032:空器件中的 PWM 输出高电平

Guru**** 2392095 points


请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/microcontrollers/c2000-microcontrollers-group/c2000/f/c2000-microcontrollers-forum/905649/tms320f28032-pwm-output-high-in-an-empty-device

器件型号:TMS320F28032

大家好、

我正在为客户的 F28032项目提供支持。 在其 PP 板上、先焊接芯片、然后进行编程。 当他们尝试对芯片进行编程时、他们发现大约1/3的电路板 MOSFET 将被存储。 在研究这个问题时、他们发现加电后、GPIO7&8将同时输出高电平、导致半桥导通。

测试:

1.怀疑这是库存管理问题(器件之前已编程)、他们使用调试器查看了闪存、发现0x3f5f6e 到0x3f7157的空间不为空。

2、两个 GPIO 均通过472电阻下拉至 GND。 但我们仍然可以观察到该引脚上的高电平输出。

问题:

1.新芯片在0x3f5f6e 到0x3f7157之间保存数据是否会使其变得更好? 客户还查看了1-2正常器件、显示为所有 F

2、有什么原因在复位后这2个 GPIO 输出高电平?

此致、

Brian

  • 请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    Brian、

    此问题是否仅在一个器件上发生? 他们是否在闪存被擦除的器件上看到问题?

    何时发生、是在 POR 之后立即发生、还是在器件开始执行客户的代码后发生?

    1. 您提到的地址位于闪存中。 购买新器件时、应将其闪存擦除(所有"F")。
    2. 器件是否从闪存引导? 它可能分支到加载到闪存存储器中的代码。

    此致、
    Cody