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[参考译文] TMS320F280025C：使用 HALCoGen 生成 TI FEE 配置文件

admin
Guru**** 668880 points
Other Parts Discussed in Thread: HALCOGEN, C2000WARE
请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/microcontrollers/c2000-microcontrollers-group/c2000/f/c2000-microcontrollers-forum/1162883/tms320f280025c-generating-the-ti-fee-configuration-files-using-halcogen

器件型号：TMS320F280025C
主题中讨论的其他器件：HALCOGEN、 C2000WARE

我正在尝试了解我们是否可以将闪存用作 EEPROM 来存储运行时监控器数据。

我相信 TI FEE 驱动器将有助于实现这一目标。 我将查看名为《TI FEE 驱动器用户指南》的文档。

也就是说、用户需要使用 HALCoGen 生成以下两个配置文件、以部署和使用 TI FEE 驱动器。
A. ti_fee_cfg.h
b. ti_fee_cfg.c

我运行了 Halcogen 并尝试创建新项目。 它不显示处理器系列 TNS320可供选择。 如何 使用 Halcogen 生成这些文件？

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    TI__Guru**** 668880 points
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    您好 Akila、

    HALCoGen 不支持 C2000器件。 它专为我们的 Hercules 微控制器(TMS570系列)而设计。

    要将数据编程到闪存中、您需要使用作为 C2000ware 一部分提供的 C2000闪存 API。 C2000ware 还提供了示例供您参考。 如需更多信息、请参阅 ：闪存—C2000 软件指南(TI.com)

    谢谢、
    Ibukun

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    TI__Guru**** 668880 points
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    以下链接中提及的内容。

    https://e2e.ti.com/support/microcontrollers/c2000-microcontrollers-group/c2000/f/c2000-microcontrollers-forum/1006789/launchxl-f280025c-emulated-eeprom?tisearch=e2e-sitesearch&keymatch=MS320F280025C%252525253A%2525252520eeprom%2525252520%2525252528emulation%2525252529

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    TI__Guru**** 668880 points
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    也就是说、您可以使用 HALCoGen 包中包含的示例代码作为开发自己的 EEPROM 软件的参考； 但是、您需要转换此示例中的代码以使用 C2000 -使用 C2000闪存 API 而不是 上面提到的 FEE 驱动  器；请注意、C28x 使用16位寻址。

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    TI__Guru**** 668880 points
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    您是说我必须使用闪存 API 编写 FEE 驱动器吗？

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    TI__Guru**** 668880 points
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    您好 Akila、

    闪存 API  是 C2000产品上闪存存储器的驱动程序- C2000没有"费用"驱动程序。 它包含用于编程、擦除和验证闪存数据的易于使用的函数。 Halcogen 示例只是一个如何实现 EEPROM 仿真的参考；您可以使用闪存 API 函数执行在该示例中完成的所有相同操作。

    此致、
    Ibukun

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    TI__Guru**** 668880 points
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    我在示例中没有看到任何“FEE”驱动程序代码。 我只能看到显示如何使用 FEE 驱动器 API 的示例代码。 我确定我没有查看正确的目录或文件。 请提供建议。 确切地说、FEE 驱动器代码在哪里？

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    TI__Guru**** 668880 points
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    Akila、

    您的想法不是复制/实施 FEE 驱动器代码、而是使用 C2000 API 代替它。 示例中是否有您无法在 C2000闪存 API 中找到等效功能的特定内容？ 如果您无法复制 FEE 驱动器的某些函数调用、我们可以尝试提供指导。

    此致、
    Ibukun

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    TI__Guru**** 668880 points
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    感谢您的支持。 我还没有在发展方面取得如此大的进展。  在开始实施时、我可能需要您的支持。 我仍在努力说服自己，这是正确的做法。 目前、我们使用外部 FRAM 器件来存储每100ms 写入的4K 字节的遥测数据。 将来、我们可能需要 存储更多遥测 数据。 不确定 将其保存在 闪存中以消除 FRAM 的使用是一个好主意。   我们非常感谢您的任何建议。

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    TI__Guru**** 668880 points
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    您好 Akila、

    在将闪存视为数据记录资源("EEPROM 仿真")时、您需要注意以下几个主要问题：

    1.闪存编程时间：确保器件数据表中的闪存编程时间符合您的系统要求。

    2.与 FRAM 相比、闪存编程和擦除需要更高的功耗(可能几十 mA)。 请参阅"系统电流消耗"下的数据表。

    由于技术的固有特性、闪存、特别是嵌入式闪存具有有限数量的可能写入/擦除周期。 由于擦除时间会随着时间的推移而逐渐增加、因此您还必须在系统设计注意事项中为此编列预算。 在某个时刻、该扇区可能会变得太耗竭、擦除将不再起作用。  我们目前指定器件在单个扇区中最多支持20、000个写入/擦除周期。 有关擦除时间和额定写入/擦除周期的详细信息、请参阅"闪存参数"下的器件数据表。 相比之下、FRAM 存储器的写入/擦除寿命要高得多、通常大约为1e11个或更多周期。

    闪存比 FRAM 具有以下优势：

    -工作温度范围高得多：由于热去极化、FRAM 在高温下失去保持能力。 因此、大多数 FRAM 器件的额定工作温度不超过85C
    -对于嵌入式应用、闪存通常比 FRAM 提供更快的访问时间。