[参考译文] TMS320F28377D-Q1：VDDIO-VDDOSC-VDDA 的旁路电容器

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Other Parts Discussed in Thread: LAUNCHXL-F28379D, TMDSCNCD28379D, C2000WARE

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器件型号：TMS320F28377D-Q1
主题中讨论的其他器件：TMDSCNCD28379D、 LAUNCHXL-F28379D、 C2000WARE

尊敬的先生：

在我设计 TMS320F28377的硬件时、我想咨询 VDDx 的旁路电路设计。

通常、根据我的经验、我将通过将电容器直接放置在微控制器底部来使用过孔绕过引脚、如图所示

此设计将确保电容器最靠近 VDDx 引脚、并节省大量空间(已经通过附近的电感/铁氧体磁珠)

总之、随着我遵循 TI LAUNCHXL 电路板设计、我发现它们分别为每个 VDDIO、VDDOSC、VDDA 使用了许多电感。

为什么？如果它真的很必要？

因为它会向 PCB 板添加大量硬件设计参数、这可能导致无法使用所有可用引脚/而是 PCB 层和成本。

我想确认、如果我将所有 VDDIO-VDDOSC-VDDA 域用作 VDD_MCU (3.3VDC)、并通过30欧姆铁氧体磁珠将可提供补偿？

它是否会对稳定性设计产生任何硬件影响？

此致、
Narudol T.

3 年多前

0 admin 3 年多前

TI__Guru**** 2489685 points

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[引用 userid="504891" URL"~/support/microcontrollers/c2000-microcontrollers-group/c2000/f/c2000-microcontrollers-forum/1167195/tms320f28377d-q1-bypass-capacitor-of-vddio-vddosc-vdda "]此设计将确保电容器最靠近 VDDx 引脚[/引用]

虽然我同意这是一种很好的方法来放置这些引脚、但我认为谨慎的做法是、这不是最靠近引脚的布局、您通过过孔忽略了增加的62mil。

这些是铁氧体磁珠。其理念是尝试抑制噪声进入器件上的不同电源域。它们并非严格要求、但同样可以抑制噪声。如果您只想使用一个、这也是可以接受的。这部分取决于您在系统中期望的噪声大小。

我认为使用这3个铁氧体磁珠不应有太多的限制、我不会指望它会限制能够引出的引脚。但我非常欣赏、当仅使用几层时、器件扇出会有多困难。我们在 C2000ware 软件包中提供 TMDSCNCD28379D 和 LaunchxL-F28379D 作为布局参考。

此致、
Cody

0 admin 3 年多前

TI__Guru**** 2489685 points

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感谢 Cody、

是的、为了节省成本、我只设计了4层 S1 -电源- GND - S2。

感谢您对布局参考的建议。

此致、

Narudol T.

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