[参考译文] TMS320F28069：通过引导 ROM 进行软件更新

您好、 Lev Avdejev  

让我们首先看看您的第二组问题：

>>另一个问题是内存擦除已完成。 大概在某些时候，引导 ROM 也会触发闪存擦除，然后再继续>>内存写入。

-引导 ROM 代码不执行闪存擦除。

• 在写入新内容之前、我对存储器在某个时刻被引导 ROM 擦除的理解是否正确？
  • 否、 存储器不会被引导 ROM 擦除  
• 通过引导 ROM 进行软件更新的哪个点会擦除目标存储器区域？
  • 同上
• 是否有关于内存擦除所需时间的信息(例如、最佳情况、典型情况和最坏情况)？
  •  如有需要、可提供此数据。  但是、它可能不适用于您之前提出的问题。

由于引导 ROM 支持的工作方式似乎存在一些断开连接、请查看您之前提出的问题、并告知我们这些问题是否仍然有效。

如果您认为它们仍然有效、请告诉我们您的项目到底要完成什么。  您是否使用作为 C2000Ware 一部分提供的引导 ROM 源代码作为示例、为28069目标创建引导加载程序或开发软件更新机制？

谢谢、

Krishna  

您好！

感谢您的回答和解释。

我们的项目包含2个 MCU 使用、28069是系统中的从站。 我们使用引导 ROM 功能来更新在28069目标上运行的应用软件、序列(发送闪存内核、执行自动波特、传输数据)由主 MCU 控制。 我们不是自行开发引导加载程序。

看起来我对擦除错误了。 我研究了名为"C2000微控制器的串行闪存编程"的 TI 文档、它告诉我们闪存内核实际上负责擦除和写入闪存。 它还很好地说明了闪存被闪存内核擦除的时间点。

从文档中输出：

1. "在接收到任何应用数据之前、闪存内核会擦除器件的闪存、以便对其进行编程。"
2. "在下载过程开始时、会传输一个密钥、一些保留字段和应用程序入口点
   实际应用代码之前。 正是在接收到入口点后内核才开始擦除闪存。"

因此、我想问以下问题：

• 存储器擦除所需的最大时间(最坏情况)是多少？

很抱歉、我在初次加入时提出了一些问题。

谢谢！

大家好 、Lev Avdejev 

有关擦除时间的详细信息、请参阅数据表。   表5-14. 90MHz SYSCLKOUT 上的闪存参数、您可以开始使用。  这是 数据表的链接。   

谢谢！

Krishna

您好、Krishna Allam、

提供的数据表给出了我的问题的答案。 但是、表5-14中有一条说明了以下最长擦除时间的注释：

• MAX 列中提到的参数用于前100个擦除/编程周期。

如何理解这一点？
在这100个擦除/编程周期后、最大时间是否会增加？

谢谢！

您好、 Lev Avdejev、  

感谢您确认数据表可解答您的问题。  通常、在嵌入式系统中、开发人员将使用基于 RAM 和 RAM 的应用程序构建来调试和完成软件开发周期。  开发接近完成后、应用程序将编程到闪存中。  您可能已经知道、闪存会随着时间的推移而降级(在很长的时间内)。  因此、关于100个擦除/编程周期的注释是一个保证最坏情况的数字。  之后、MAX 时间也可能保持不变。  

您的要求是什么？  请告知我们您的具体问题。  

此致、

Krishna