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[参考译文] TMS320F28069:基于闪存内核吗?

Guru**** 2589275 points
Other Parts Discussed in Thread: C2000WARE

请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/microcontrollers/c2000-microcontrollers-group/c2000/f/c2000-microcontrollers-forum/785489/tms320f28069-can-based-flash-kernel

器件型号:TMS320F28069
主题中讨论的其他器件:C2000WARE

您好!

在为 C2000目标创建基于 CAN 的引导加载程序的过程中、我首先尝试通过阅读应用手册了解引导加载程序架构:

http://www.ti.com/lit/an/sprabv4b/sprabv4b.pdf

虽然上述内容基于基于串行 SCI 的加载程序、但我的问题是 TI 是否提供类似的 CAN 闪存内核? 如果 CAN 闪存内核不可用、我们是否有引导 ROM CAN 加载程序、我可以使用它加载 CAN 闪存内核?

 

2.接下来、我对客户在独立模式下进行闪存编程的方法感到困惑。 它们使用闪存的一部分来存储次级引导加载程序。 在某些情况下、应用程序会跳转到该次级引导加载程序、而该次级引导加载程序会执行闪存重新编程。 问题–为什么在 C2000 ROM 中已嵌入 SCI 加载程序类实用程序时使用辅助加载程序?

  • 请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。
    Venkatesh、

    1)是的、CAN 闪存内核确实可用。 请查看以下链接、了解 C2000Ware 中的相对路径。

    <C2000Ware.\device_support\f2806x\examples\c28\f28069_can_flash_kernel

    2)引导 ROM 中提供的 SCI 加载程序(或) CAN 加载程序允许用户只对 RAM 而不是闪存进行编程。 SCI/CAN 闪存内核支持闪存编程。

    此致、
    曼诺伊