[参考译文] TMS320F28379S：适用于 nFBGA 封装的顶部旁路电容器设计

John、

         我与 EMI 专家交谈、下面是我们对话的总结：  

如果您看看我们的 LauchPad、可以看到所有去耦电容器都位于 IC 的正下方底部。 这提供了最短的布线长度。 VDDIO/VDD 引脚通过过孔连接到电容的一端、而电容的另一端通过另一个过孔连接到 GND 平面。 在您建议的方案中、由于您将电容器沿着外围放置、因此布线长度将增加。 在200MHz 的频率及其谐波下、不能忽略5-8mm 额外布线长度的串联电感。 实际上、布线长度为2倍(5到8mm)、因为电流必须闭合环路并流向最近的 GND 点、以连接到要去耦的电源引脚。

在您的方案中、去耦合的有效性很可能会降低。 不幸的是、很难用多少量来量化。

需要考虑的重要一点是、您是否尝试满足任何发射标准(如 CISPR)。 如果不是这样、您就会在布局中有一些回旋余地。 如果您的产品确实必须满足某种标准、您需要小心谨慎。 在设计完成后、EMI 问题的解决成本非常高。

我的同事说：

"将电容器移8mm 可能会影响辐射 EMI 和电源完整性。

至少在第2层(直接在 IC 下方)上保留一个实心 GND 层、层间距小于6mil。 这可最大限度地提高 GND 平面的有效性、并尽可能缩短有效过孔路径长度"。

谢谢、Hareesh、这正是我们所期望的、因此我们将一个实心 GND 平面连接到旁路电容器、与其他回路分开、以确保路径最小化、再次感谢您的指导、我们将测试此情况并告知您是否有任何问题。

John。